[发明专利]半导体基板和半导体器件

说明书

提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Al_x1Ga_1‑x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及第2半导体层，包含Al_x2Ga_1‑x2N(0x2x1)，包含碳和氧。所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比是730以上。

本申请以日本专利申请2017-180605(申请日2017年9月20日)为基础，从该申请享受优先权。本申请通过参考该申请来包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体基板和半导体器件。

背景技术

例如，有如下的半导体基板，其具有形成于硅基板之上的氮化物半导体的缓冲层。使用这种半导体基板来制造半导体器件。在半导体器件中要求提高耐压。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。

根据本发明的实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Al_x1Ga_1-x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及第2半导体层，包含Al_x2Ga_1-x2N(0x2x1)，包含碳和氧。所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比是730以上。

根据本发明的其它实施方式，提供一种半导体器件，具备：半导体基板、包含AlGaN的第4半导体层、第1电极、第2电极以及第3电极，

所述半导体基板包含：

第1半导体层，包含Al_x1Ga_1-x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及

第2半导体层，包含Al_x2Ga_1-x2N(0x2x1)，包含碳和氧，

所述半导体基板还具备包含GaN的第3半导体层，

所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比是730以上，

所述第2半导体层位于所述第3半导体层与所述第1半导体层之间，

在朝向第3半导体层的第1方向上，所述第3半导体层的至少一部分位于所述第4半导体层与所述第2半导体层之间，

所述第3半导体层包含第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域，

与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第3部分区域的位置位于所述第2方向上的所述第1部分区域的位置与所述第2方向上的所述第2部分区域的位置之间，

所述第1电极与所述第1部分区域电连接，

所述第2电极与所述第2部分区域电连接，

在所述第1方向上，所述第3部分区域与所述第3电极分离。

附图说明

图1的(a)和图1的(b)是例示出第1实施方式的半导体基板的示意性截面图。

图2是例示出与半导体基板有关的实验试样的示意性截面图。

图3是例示出与半导体基板有关的实验结果的图形。

图4是例示出半导体基板的特性的图形。

图5是例示出半导体基板的特性的图形。

图6是例示出半导体基板的特性的图形。

图7是例示出第2实施方式的半导体器件的示意性截面图。