[发明专利]半导体基板和半导体器件有效

专利信息
申请号: 201810163337.2 申请日: 2018-02-27
公开(公告)号: CN109524455B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 加藤大望;吉田学史;田岛纯平;上杉谦次郎;彦坂年辉;汤元美树;布上真也;蔵口雅彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L29/10 分类号: H01L29/10;H01L29/36;H01L29/778
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 程晨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体基板,具备:

第1半导体层,包含Alx1Ga1-x1N,所述x1大于0且为1以下,并包含碳和氧;以及

第2半导体层,包含Alx2Ga1-x2N,所述x2大于0且小于1,并包含碳和氧,

所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比为730以上,

所述第2比相对第1比之比为6000以上,该第1比是所述第1半导体层中的碳浓度相对所述第1半导体层中的氧浓度之比。

2.根据权利要求1所述的半导体基板,其中,

所述第2半导体层的至少一部分中的所述碳浓度为5×1019cm-3以上。

3.根据权利要求1所述的半导体基板,其中,

所述第2半导体层中的所述氧浓度为5×1017cm-3以下。

4.根据权利要求1所述的半导体基板,其中,

所述半导体基板还具备包含硅的基体,

所述第1半导体层位于所述基体与所述第2半导体层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体基板,其中,

所述第2半导体层包含第1含Al区域和第2含Al区域,

所述第1含Al区域位于所述第2含Al区域与所述第1半导体层之间,

所述第2含Al区域中的Al成分比低于所述第1含Al区域中的Al成分比。

6.根据权利要求5所述的半导体基板,其中,

所述第1含Al区域中的碳浓度沿从所述第1半导体层朝向所述第2半导体层的方向上升。

7.根据权利要求5所述的半导体基板,其中,

所述第2含Al区域中的碳浓度沿从所述第1半导体层朝向所述第2半导体层的方向上升。

8.根据权利要求1所述的半导体基板,其中,

所述半导体基板还具备包含GaN的第3半导体层,

所述第2半导体层位于所述第3半导体层与所述第1半导体层之间。

9.一种半导体基板,具备:

第1半导体层,包含Alx1Ga1-x1N,所述x1大于0且为1以下,并包含碳和氧;以及

第2半导体层,包含Alx2Ga1-x2N,所述x2大于0且小于1,并包含碳和氧,

所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比为730以上,

所述第2半导体层包含第1含Al区域和第2含Al区域,

所述第1含Al区域位于所述第2含Al区域与所述第1半导体层之间,

所述第2含Al区域中的Al成分比低于所述第1含Al区域中的Al成分比,

所述第2含Al区域中的碳浓度沿从所述第1半导体层朝向所述第2半导体层的方向上升。

10.一种半导体器件,还具备:

权利要求8所述的所述半导体基板、包含AlGaN的第4半导体层、第1电极、第2电极以及第3电极,

所述半导体基板还包含基体,该基体包含硅,

所述第1半导体层位于所述基体与所述第2半导体层之间,

在从所述基体朝向所述第3半导体层的第1方向上,所述第3半导体层的至少一部分位于所述第4半导体层与所述第2半导体层之间,

所述第3半导体层包含第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域,

与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第3部分区域的位置介于所述第2方向上的所述第1部分区域的位置与所述第2方向上的所述第2部分区域的位置之间,

所述第1电极与所述第1部分区域电连接,

所述第2电极与所述第2部分区域电连接,

在所述第1方向上,所述第3部分区域与所述第3电极分离。

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