[发明专利]半导体基板和半导体器件有效
| 申请号： | 201810163337.2 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109524455B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 加藤大望;吉田学史;田岛纯平;上杉谦次郎;彦坂年辉;汤元美树;布上真也;蔵口雅彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/36;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 半导体器件 | ||
1.一种半导体基板，具备：
第1半导体层，包含Alx1Ga1-x1N，所述x1大于0且为1以下，并包含碳和氧；以及
第2半导体层，包含Alx2Ga1-x2N，所述x2大于0且小于1，并包含碳和氧，
所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比为730以上，
所述第2比相对第1比之比为6000以上，该第1比是所述第1半导体层中的碳浓度相对所述第1半导体层中的氧浓度之比。
2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，
所述第2半导体层的至少一部分中的所述碳浓度为5×1019cm-3以上。
3.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，
所述第2半导体层中的所述氧浓度为5×1017cm-3以下。
4.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，
所述半导体基板还具备包含硅的基体，
所述第1半导体层位于所述基体与所述第2半导体层之间。
5.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，
所述第2半导体层包含第1含Al区域和第2含Al区域，
所述第1含Al区域位于所述第2含Al区域与所述第1半导体层之间，
所述第2含Al区域中的Al成分比低于所述第1含Al区域中的Al成分比。
6.根据权利要求5所述的半导体基板，其中，
所述第1含Al区域中的碳浓度沿从所述第1半导体层朝向所述第2半导体层的方向上升。
7.根据权利要求5所述的半导体基板，其中，
所述第2含Al区域中的碳浓度沿从所述第1半导体层朝向所述第2半导体层的方向上升。
8.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，
所述半导体基板还具备包含GaN的第3半导体层，
所述第2半导体层位于所述第3半导体层与所述第1半导体层之间。
9.一种半导体基板，具备：
第1半导体层，包含Alx1Ga1-x1N，所述x1大于0且为1以下，并包含碳和氧；以及
第2半导体层，包含Alx2Ga1-x2N，所述x2大于0且小于1，并包含碳和氧，
所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比为730以上，
所述第2半导体层包含第1含Al区域和第2含Al区域，
所述第1含Al区域位于所述第2含Al区域与所述第1半导体层之间，
所述第2含Al区域中的Al成分比低于所述第1含Al区域中的Al成分比，
所述第2含Al区域中的碳浓度沿从所述第1半导体层朝向所述第2半导体层的方向上升。
10.一种半导体器件，还具备：
权利要求8所述的所述半导体基板、包含AlGaN的第4半导体层、第1电极、第2电极以及第3电极，
所述半导体基板还包含基体，该基体包含硅，
所述第1半导体层位于所述基体与所述第2半导体层之间，
在从所述基体朝向所述第3半导体层的第1方向上，所述第3半导体层的至少一部分位于所述第4半导体层与所述第2半导体层之间，
所述第3半导体层包含第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域，
与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第3部分区域的位置介于所述第2方向上的所述第1部分区域的位置与所述第2方向上的所述第2部分区域的位置之间，
所述第1电极与所述第1部分区域电连接，
所述第2电极与所述第2部分区域电连接，
在所述第1方向上，所述第3部分区域与所述第3电极分离。
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