[发明专利]半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置

说明书

半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。可提高每个衬底的处理均匀性。半导体器件的制造方法具有如下工序：向处理室供给非活性气体；将处理室内的气氛从排气部排气；获取第一数据的第一数据获取工序；和对设置于排气部的排气调节部的阀开度进行调节的排气特性调节工序；排气特性调节工序具有：在将排气调节部的阀开度设定为规定值的状态下，一边改变非活性气体的流量一边测定处理室内或排气部的任一者的压力，获取与该压力与非活性气体流量之间的关系有关的实测数据即第二数据的第二数据获取工序，对第二数据与第一数据之间的差异数据是否处于规定范围内进行判定的工序，和当差异数据不处于规定范围内时变更排气调节部的阀开度的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。

背景技术

随着由大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit：以下LSI)、DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)、闪速存储器(Flash Memory)等代表的半导体器件的高集成化，电路图案、制造过程中形成的结构物的微细化正在推进。在进行半导体器件的制造工序中的一个工序的衬底处理装置中，定期地进行维护、从而进行衬底处理装置的性能维持。例如，专利文献1、2中记载了上述内容。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2006-303414号公报

专利文献2:日本特开平9-85076号公报

发明内容

发明要解决的课题

根据衬底处理装置的排气特性的变化，每个衬底的处理结果可能变得不均匀。

因此，本发明中，提供一种能够提高每个衬底的处理均匀性的技术。

用于解决课题的手段

根据一个方式，提供一种技术，其具有：

向处理室供给非活性气体的工序，

将所述处理室内的气氛从排气部排气的工序，

获取作为基准数据的第一数据的第一数据获取工序，其中，所述基准数据是关于所述处理室内或所述排气部的任一者的压力与所述非活性气体的流量之间的关系的数据，

向收容有衬底的状态的所述处理室内供给处理气体从而对所述衬底进行处理的工序，和

排气特性调节工序，对设置于所述排气部的排气调节部的阀开度进行调节；其中，

所述排气特性调节工序具有：

获取作为实测数据的第二数据的第二数据获取工序，其中，在将所述排气调节部的阀开度设定为规定值的状态下，一边改变所述非活性气体的流量一边测定所述处理室内或所述排气部的任一者的压力，所述实测数据是关于该压力与所述非活性气体流量之间的关系的数据，

将所述第二数据与所述第一数据对比并求出各自之间的差异数据，对所述差异数据是否处于规定范围内进行判定的工序，和

当所述差异数据不处于所述规定范围内时，变更所述排气调节部的阀开度的工序。

发明效果

根据本发明涉及的技术，能够提高每个衬底的处理均匀性。

附图说明

图1为一个实施方式涉及的衬底处理装置的概略构成图。

图2为一个实施方式涉及的控制器的概略构成图。

图3为一个实施方式涉及的衬底处理系统的概略构成图。