[发明专利]半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有：

向处理室供给非活性气体的工序，

将所述处理室内的气氛从排气部排气的工序，

获取作为基准数据的第一数据的第一数据获取工序，其中，所述基准数据是关于所述处理室内或所述排气部的任一者的压力与所述非活性气体的流量之间的关系的数据，

向收容有衬底的状态的所述处理室内供给处理气体从而对所述衬底进行处理的工序，和

排气特性调节工序，对设置于所述排气部的排气调节部的阀开度进行调节；其中，

所述排气特性调节工序具有：

获取作为实测数据的第二数据的第二数据获取工序，其中，在将所述排气调节部的阀开度设定为规定值的状态下，一边改变所述非活性气体的流量一边测定所述处理室内或所述排气部的任一者的压力，所述实测数据是关于该压力与所述非活性气体流量之间的关系的数据，

将所述第二数据的斜率数据与所述第一数据的斜率数据对比并求出所述第二数据与所述第一数据的差异数据，对所述差异数据是否处于规定范围内进行判定的工序，和

当所述差异数据不处于所述规定范围内时，以使所述第二数据的斜率数据接近所述第一数据的斜率数据的方式变更所述排气调节部的阀开度的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

重复所述第二数据获取工序、所述进行判定的工序及所述变更的工序，直至所述差异数据落入所述规定范围内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，具有：

若所述差异数据未落入所述规定范围内的次数大于规定次数，则输出维护数据的工序，所述维护数据报告所述排气部的维护开始请求。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，具有：

若以使得所述差异数据落入所述规定范围内的方式变更所述排气调节部的阀开度的频率大于规定频率，则输出维护时期数据的工序，所述维护时期数据报告接近所述排气部的维护时期这一情况。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，具有：

若以使得所述差异数据落入所述规定范围内的方式变更所述排气调节部的阀开度的频率大于规定频率，则输出维护时期数据的工序，所述维护时期数据表示接近所述排气部的维护时期这一内容。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在将处理所述衬底的工序进行规定次数后进行所述排气特性调节工序。

7.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，

在将处理所述衬底的工序进行规定次数后进行所述排气特性调节工序。

8.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，

在将处理所述衬底的工序进行规定次数后进行所述排气特性调节工序。

9.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，

在将处理所述衬底的工序进行规定次数后进行所述排气特性调节工序。

10.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，

在将处理所述衬底的工序进行规定次数后进行所述排气特性调节工序。