[发明专利]磁芯线圈及其制备方法

说明书

本发明涉及一种磁芯线圈的制备方法，包括如下步骤：1)制备底层导线；2)制备第一铜立柱层和第一绝缘层，其中第一绝缘层由第一光刻胶直接固化形成；3)制备磁芯导电层；4)制备第二铜立柱层、第二绝缘层、磁芯；5)制备第三铜立柱层、第三绝缘层，其中第三绝缘层由第三光刻胶直接固化形成；6)制备上层导线。本发明提供的磁芯线圈的制造方法，将三维图像分割为相互独立相互联系的二维的层结构，通过将磁芯线圈划分为多个相互独立且相互联系的层结构，通过简单的分层制造能够获得结构复杂的磁芯线圈，不需后续的刻蚀工艺，适合低成本的三维磁感线圈的制作。

技术领域

本发明涉及电子元器件领域，特别是涉及一种磁芯线圈及其制备方法。

背景技术

电子元器件的小型化是电子产品的小型化、微型化的前提，而电感器件如磁芯线圈是电子电路必不可少的重要元件，因此电感器件的微型化备受关注。

MEMS工艺是近些年兴起的制造工艺，其制作得到的微器件具有体积小、重量轻、集成度高、使用寿命长、易于大批量生产等优点。随着MEMS工艺的不断成熟，也有越来越多的磁芯线圈采用MEMS工艺制作。但是现有MEMS工艺制备得到的磁芯线圈工序种类繁多且工艺复杂，例如需要干法刻蚀等。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种制备工序简单的磁感线圈及其制作方法。

本发明提供一种磁芯线圈的制备方法，包括如下步骤：

1)制备底层导线；

2)制备第一铜立柱层和第一绝缘层，其中第一绝缘层由第一光刻胶直接固化形成；

3)制备磁芯导电层；

4)制备第二铜立柱层、第二绝缘层、磁芯，其中，所述制备第二绝缘层、第二铜立柱层、磁芯的具体过程包括：

通过光刻处理，旋涂第二光刻胶、曝光、显影，同时制备得到所述第二铜立柱层、磁芯的图形，所述第二铜立柱层位置与所述第一铜立柱层的位置重合，所述磁芯的位置与所述磁芯导电层的位置重合；

通过电镀处理，在所述第二铜立柱层的图形上制备得到所述第二铜立柱层，在所述磁芯的图形上制备得到所述磁芯；

通过固化处理使第二光刻胶固化，形成所述第二绝缘层；

5)制备第三铜立柱层、第三绝缘层，其中第三绝缘层由第三光刻胶直接固化形成；

6)制备上层导线。

进一步地，所述第一光刻胶、第二光刻胶、第三光刻胶为正性光刻胶。

进一步地，所述第一光刻胶、第二光刻胶、第三光刻胶的固化处理的温度均为200℃～240℃，固化处理的时间为18min～22min。

进一步地，步骤2)所述制备第一绝缘层和第一铜立柱层的具体过程包括：

通过光刻处理，旋涂第一光刻胶、曝光、显影，制备得到所述第一铜立柱的图形；

通过电镀处理，在第一铜立柱的图形上制备得到所述第一铜立柱层；

通过固化处理使所述第一光刻胶固化，制备得到所述第一绝缘层。

进一步地，步骤5)所述制备第三绝缘层、第三铜立柱层的具体过程包括：

通过光刻处理，旋涂所述第三光刻胶、曝光、显影，制备得到所述第三铜立柱层的图形，所述第三铜立柱层的位置与第一铜立柱层及第二铜立柱层的位置重合；

通过电镀处理，在所述第三铜立柱层的图形上制备得到所述第三铜立柱层；以及

通过固化处理使所述第三光刻胶固化，制备得到所述第三绝缘层。