[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Al_x1Ga_1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Al_x2Ga_1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Al_x3Ga_1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。

本申请以日本专利申请2017-122439(申请日2017年6月22日)作为基础，基于该申请享受优先权。本申请通过参照该申请，包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

例如，存在使用氮化物半导体的晶体管等半导体装置。在半导体装置中，期望导通电阻的降低。

发明内容

本发明的实施方式提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。

根据本发明的实施方式，半导体装置包括第1～第3电极以及第1～第3半导体区域。所述第3电极在第1方向上远离所述第2电极。所述第1电极的所述第1方向上的位置处于所述第2电极的所述第1方向上的位置与所述第3电极的所述第1方向上的位置之间。所述第1半导体区域包括Al_x1Ga_1－x1N(0＜x1≤1)。所述第1半导体区域包括在与所述第1方向交叉的第2方向上远离所述第1电极的第1部分区域、在所述第2方向上远离所述第2电极的第2部分区域以及在所述第2方向上远离所述第3电极的第3部分区域。所述第1部分区域的沿着所述第2方向的第1厚度比所述第2部分区域的沿着所述第2方向的第2厚度厚、并且比所述第3部分区域的沿着所述第2方向的第3厚度厚。所述第2半导体区域包括Al_x2Ga_1－x2N(0≤x2＜1、x2＜x1)。所述第2半导体区域包括在所述第2方向上位于所述第1电极与所述第1部分区域之间的第4部分区域、在所述第2方向上位于所述第2电极与所述第2部分区域之间的第5部分区域以及在所述第2方向上位于所述第3电极与所述第3部分区域之间的第6部分区域。所述第4部分区域的沿着所述第2方向的第4厚度比所述第5部分区域的沿着所述第2方向的第5厚度薄、并且比所述第6部分区域的沿着所述第2方向的第6厚度薄。所述第3半导体区域包括Al_x3Ga_1－x3N(0＜x3≤1、x2＜x3)。所述第3半导体区域包括在所述第2方向上位于所述第2电极与所述第5部分区域之间的第7部分区域以及在所述第2方向上位于所述第3电极与所述第6部分区域之间的第8部分区域。

根据本发明的其它实施方式，提供一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第3电极，所述第3电极在第1方向上远离所述第2电极，所述第1电极的所述第1方向上的位置处于所述第2电极的所述第1方向上的位置与所述第3电极的所述第1方向上的位置之间；

第1半导体区域，包括Al_x1Ga_1－x1N(0＜x1≤1)，并且包括在与所述第1方向交叉的第2方向上远离所述第1电极的第1部分区域、在所述第2方向上远离所述第2电极的第2部分区域以及在所述第2方向上远离所述第3电极的第3部分区域；