[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第3电极，所述第3电极在第1方向上远离所述第2电极，所述第1电极的所述第1方向上的位置处于所述第2电极的所述第1方向上的位置与所述第3电极的所述第1方向上的位置之间；

第1半导体区域，包括Al_x1Ga_1－x1N，其中所述x1大于0且小于1，所述第1半导体区域包括在与所述第1方向交叉的第2方向上远离所述第1电极的第1部分区域、在所述第2方向上远离所述第2电极的第2部分区域以及在所述第2方向上远离所述第3电极的第3部分区域，所述第1部分区域的沿着所述第2方向的第1厚度比所述第2部分区域的沿着所述第2方向的第2厚度厚、并且比所述第3部分区域的沿着所述第2方向的第3厚度厚；

第2半导体区域，包括Al_x2Ga_1－x2N，其中所述x2为0以上且小于1，所述x2小于所述x1，所述第2半导体区域包括在所述第2方向上位于所述第1电极与所述第1部分区域之间的第4部分区域、在所述第2方向上位于所述第2电极与所述第2部分区域之间的第5部分区域以及在所述第2方向上位于所述第3电极与所述第3部分区域之间的第6部分区域，所述第4部分区域的沿着所述第2方向的第4厚度比所述第5部分区域的沿着所述第2方向的第5厚度薄、并且比所述第6部分区域的沿着所述第2方向的第6厚度薄；

第3半导体区域，包括Al_x3Ga_1－x3N，其中所述x3大于0且为1以下，所述x2小于所述x3，所述第3半导体区域包括在所述第2方向上位于所述第2电极与所述第5部分区域之间的第7部分区域以及在所述第2方向上位于所述第3电极与所述第6部分区域之间的第8部分区域；

基板；以及

第6半导体区域，包括包含Al的氮化物半导体，

在所述第2方向上，所述第6半导体区域位于所述基板与所述第1半导体区域之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1部分区域的一部分在所述第1方向上位于所述第5部分区域与所述第6部分区域之间。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，

还具备第4半导体区域，该第4半导体区域在所述第2方向上设置于所述第1电极与所述第4部分区域之间，并且包括Al_x4Ga_1－x4N，所述x4大于0且为1以下，所述x2小于所述x4。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述x4小于所述x3。

5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，

还具备包括Al_x5Ga_1－x5N的第5半导体区域，

所述x5大于0且为1以下，所述x2小于所述x5，

所述第5半导体区域包括：

第9部分区域，在所述第2方向上设置于所述第5部分区域与所述第7部分区域之间；以及

第10部分区域，在所述第2方向上设置于所述第6部分区域与所述第8部分区域之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述x5小于所述x3。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述第9部分区域的沿着所述第2方向的第9厚度比所述第7部分区域的沿着所述第2方向的第7厚度薄，

所述第10部分区域的沿着所述第2方向的第10厚度比所述第8部分区域的沿着所述第2方向的第8厚度薄。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述x3为0.15以上且0.5以下，

所述第7部分区域的沿着所述第2方向的第7厚度为5nm以上且50nm以下。