[发明专利]沉积设备、显示装置的制造方法和通过该方法制造的显示装置在审
申请号: | 201810159300.2 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108538749A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 李相信 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/84;H01L27/15 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移动部 沉积源 衬底支承部 旋转部 衬底 沉积设备 沉积装置 显示装置 沉积腔 旋转型 掩模 室内 沉积腔室 第一位置 角度布置 放射形 制造 | ||
沉积设备包括沉积腔室、多个衬底支承部、多个掩模、旋转型沉积装置。多个衬底支承部在沉积腔室内以第一位置为中心彼此间以第一角度布置成放射形。多个掩模分别与固定在多个衬底支承部中的每个上的多个衬底相对。旋转型沉积装置包括旋转部、第一移动部、第二移动部、第一沉积源和第二沉积源,其中,旋转部定位在沉积腔室内,第一移动部和第二移动部彼此间成第二角度并且与旋转部结合,并且第一沉积源和第二沉积源分别与第一移动部和第二移动部结合并且分别与多个衬底中的两个衬底相对。
技术领域
本公开涉及沉积设备,更具体地,涉及用于沉积显示装置的发光层的沉积设备、使用沉积设备制造显示装置的方法和通过该方法制造的显示装置。
背景技术
诸如发光显示装置的显示装置包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发光层。第一电极和第二电极中的一个为空穴注入电极,且另一个为电子注入电极。发光层形成为由多个薄膜层叠的多层膜。例如,发光层可包括蓝色层、红色层和绿色层,并且还可包括至少一个辅助层。
发光层可在沉积设备中通过沉积法形成。沉积设备可包括腔室、沉积源、衬底支承部和掩模等,其中,沉积源和衬底支承部位于腔室的内部,并且掩模具有与待形成在衬底上的薄膜相同的开口图案。通常的沉积设备具有与构成发光层的薄膜的数量相同数量的腔室,并且随着衬底顺序地经过多个腔室,依次实现薄膜的沉积。
发明内容
本公开的目的在于提供能够通过减少腔室和掩模的数量来容易地进行发光层的沉积的同时减少不良件产生的沉积设备、使用该沉积设备制造显示装置的方法以及通过该方法制造的显示装置。
根据一实施方式的沉积设备包括沉积腔室、多个衬底支承部、多个掩模、旋转型沉积装置。多个衬底支承部在沉积腔室内以第一位置为中心彼此间以第一角度布置成放射形。多个掩模分别与固定至多个衬底支承部中的每个衬底支承部的多个衬底相对。旋转型沉积装置包括旋转部、第一移动部、第二移动部、第一沉积源和第二沉积源,其中,旋转部定位在沉积腔室内,第一移动部和第二移动部在彼此成第二角度的状态下结合至旋转部,并且第一沉积源和第二沉积源分别与第一移动部和第二移动部结合并且分别与多个衬底中的两个衬底相对。
第二角度可与第一角度相同,并且第一沉积源和第二沉积源可分别与多个衬底中相邻的两个衬底相对。固定在多个衬底支承部上的多个衬底中的每个可具有一对第一边和一对第二边,第一边与第二边彼此相交,并且定位在一对第一边之间的虚拟中心线可与以第一位置为中心延伸的放射方向一致。
旋转部可与第一位置相对应,并且第一移动部和第二移动部可定位成与以第一位置为中心延伸的放射方向平行。旋转部可旋转与第一角度相等的角度,并且第一沉积源和第二沉积源可根据旋转部的旋转连续地与其他衬底相对。
第一沉积源和第二沉积源中的每个可在通过第一移动部和第二移动部中的每个而进行直线移动的同时发射沉积物质。第一沉积源和第二沉积源中的至少一个可在进行两次以上的直线移动的同时发射沉积物质,以增加沉积到衬底上的薄膜的厚度。
第一沉积源和第二沉积源中的一个可放射用于沉积彩色辅助层的物质,且另一个可发射用于沉积彩色层的物质。在多个衬底支承部的中心的第一位置处可定位有输送机器人,并且旋转部可与输送机器人相隔开预定距离并且定位在输送机器人的正下方。
根据一实施方式的显示装置的制造方法包括以下步骤:在沉积腔室内以第一位置为中心,将第一衬底、第二衬底和第三衬底彼此以第一角度布置成放射形;将掩模对齐到第一衬底、第二衬底和第三衬底中的每个;将第一沉积源定位在第一衬底的下方,并且将第二沉积源定位在第二衬底的下方;使第一沉积源和第二沉积源在进行直线移动的同时朝向第一衬底和第二衬底发射沉积物质;以及使第一沉积源和第二沉积源旋转与第一角度相等的角度,使得第一沉积源定位在第二衬底的下方且第二沉积源定位在第三衬底的下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造