[发明专利]沉积设备、显示装置的制造方法和通过该方法制造的显示装置在审
| 申请号： | 201810159300.2 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108538749A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李相信 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/84;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;刘铮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 移动部 沉积源 衬底支承部 旋转部 衬底 沉积设备 沉积装置 显示装置 沉积腔 旋转型 掩模 室内 沉积腔室 第一位置 角度布置 放射形 制造 | ||
1.沉积设备，包括：
沉积腔室；
多个衬底支承部，所述多个衬底支承部在所述沉积腔室内以第一位置为中心彼此间以第一角度布置成放射形；
多个掩模，所述多个掩模分别与固定至所述多个衬底支承部中的每个衬底支承部的多个衬底相对；以及
旋转型沉积装置，所述旋转型沉积装置包括：
旋转部，所述旋转部定位在所述沉积腔室内；
第一移动部和第二移动部，所述第一移动部和所述第二移动部在彼此成第二角度的状态下结合至所述旋转部；以及
第一沉积源和第二沉积源，所述第一沉积源和所述第二沉积源分别与所述第一移动部和所述第二移动部结合，并且分别与所述多个衬底中的两个衬底相对。
2.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述第二角度与所述第一角度相同，并且所述第一沉积源和所述第二沉积源分别与所述多个衬底中相邻的两个衬底相对。
3.如权利要求1所述的沉积设备，其中，固定至所述多个衬底支承部的所述多个衬底中的每个具有一对第一边和一对第二边，所述第一边与所第二边彼此相交，并且定位在所述一对第一边之间的虚拟中心线与以所述第一位置为中心延伸的放射方向一致。
4.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述旋转部与所述第一位置相对应，并且所述第一移动部和所述第二移动部定位成与以所述第一位置为中心延伸的放射方向平行。
5.如权利要求4所述的沉积设备，其中，所述旋转部旋转与所述第一角度相等的角度，并且所述第一沉积源和所述第二沉积源根据所述旋转部的旋转而连续地与其他衬底相对。
6.如权利要求4所述的沉积设备，其中，所述第一沉积源和所述第二沉积源中的每个在通过所述第一移动部和所述第二移动部中的每个进行直线移动的同时发射沉积物质。
7.如权利要求6所述的沉积设备，其中，所述第一沉积源和所述第二沉积源中的至少一个在进行两次以上的直线移动的同时发射沉积物质，以增加沉积到所述衬底上的薄膜的厚度。
8.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述第一沉积源和所述第二沉积源中的一个发射用于沉积彩色辅助层的物质，且另一个发射用于沉积彩色层的物质。
9.如权利要求1所述的沉积设备，其中，在所述多个衬底支承部的中心的所述第一位置处定位有输送机器人，并且所述旋转部与所述输送机器人相隔开预定距离并且定位在所述输送机器人的正下方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
