[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201810155946.3 | 申请日: | 2018-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN108807205A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
| 发明(设计)人: | 丰川滋也;山口修平;长谷川晃二 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金春实 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图案 半导体装置 半导体芯片 高精度检测 凸形状 图案化 对置 制造 监视 | ||
1.一种半导体装置,其中,
包括形成有产品图案以及与所述产品图案不同的监视图案的半导体芯片,
所述监视图案具有包括在第1方向上相互对置的第1图案与第2图案的评价图案,
所述第1图案由向所述第1方向中的远离所述第2图案的方向突出的凸形状构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第2图案由矩形形状构成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第2图案由向所述第1方向中的远离所述第1图案的方向突出的凸形状构成。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述产品图案具有形成于半导体基板的上方的第1层布线图案,
所述监视图案在与所述第1层布线图案相同的层形成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述产品图案具有隔着栅极绝缘膜形成于半导体基板上的栅极电极图案,
所述监视图案在与所述栅极电极图案相同的层形成。
6.一种半导体装置,其中,
包括形成有产品图案以及与所述产品图案不同的监视图案的半导体芯片,
所述半导体芯片具有多个形成有所述监视图案的监视区域。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述半导体芯片为矩形形状,
多个所述监视区域分别形成于所述半导体芯片的角部。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述产品图案具有:
逻辑电路图案,对应于逻辑电路;以及
电路图案,对应于与所述逻辑电路不同的电路,
多个所述监视区域中的至少1个监视区域存在于比所述电路图案更接近所述逻辑电路图案的位置。
9.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述监视图案具有包括在第1方向上相互对置的第1图案与第2图案的评价图案,
所述第1图案由向所述第1方向中的远离所述第2图案的方向突出的凸形状构成。
10.一种半导体装置的制造方法,具备:
(a)准备具有多个芯片区域的半导体基板的工序;
(b)在所述半导体基板的上方形成膜的工序;
(c)对所述膜进行图案化的工序;以及
(d)检查被图案化的所述膜的工序,
其中,
在所述(a)工序中准备的所述半导体基板的所述多个芯片区域分别包括:
产品区域,形成产品图案;以及
监视区域,形成监视图案,该监视图案与所述产品图案不同,该监视图案具有包括在第1方向上相互对置的第1图案与第2图案的评价图案,并且,所述第1图案由向所述第1方向中的远离所述第2图案的方向突出的凸形状构成,
在所述(c)工序中,在所述产品区域中形成构成所述产品图案的一部分的产品结构图案,并且,在所述监视区域中形成所述监视图案,
在所述(d)工序中,根据形成于所述监视区域的所述监视图案中包括的所述评价图案,检查形成于所述产品区域的所述产品结构图案的图案化不良。
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中,
所述(d)工序包括:当在所述评价图案中所述第1图案与所述第2图案相连接的情况下判断为在所述产品结构图案中产生了图案化不良的工序。
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中,
在所述(c)工序中,使用光刻技术。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





