[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 201810151454.7 | 申请日: | 2018-02-14 |
公开(公告)号: | CN108461505A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 杨虎伟;李小华;唐欢;张春义;李宏;哈图 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/552;H01L21/77 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮光层 衬底 阵列基板 显示面板 信号线 黑矩阵 良品率 正投影 彩膜基板 覆盖信号 显示效果 遮挡信号 遮光效果 制造成本 交叠处 栅极线 偏移 源层 制作 替代 保证 | ||
本发明提出了阵列基板及其制作方法、显示面板,该阵列基板包括:衬底;遮光层,该遮光层设置在衬底的一侧;信号线,该信号线设置在遮光层远离衬底的一侧;其中,遮光层在衬底上的正投影覆盖信号线在衬底上的正投影。本发明所提出的阵列基板,其衬底上的遮光层可完全覆盖信号线所在的区域,如此,不仅可保证对开关处的遮光效果,并避免了现有的只设在有源层与栅极线交叠处的遮光层出现偏移而容易导致TFT特性异常的技术问题,从而提高了该阵列基板的良品率,而且可进一步实现黑矩阵的遮挡信号线的效果,进一步提升显示面板的良品率和显示效果,并且还可替代彩膜基板的黑矩阵,从而降低显示面板的制造成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,本发明涉及阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
目前,将阵列基板的遮光层(LS)主要设计制作在有源层(P-Si)与栅极线(Gate)交叠的地方,遮光层只能实现遮挡开关处光照的功能,如此,容易出现由于遮光层偏移而导致的阵列基板(TFT)特性异常的问题。并且,将阵列基板与彩膜基板对盒后,背光源发出的光从阵列基板上的数据线(SD)旁边透过的部分,可能无法被彩膜基板上的黑矩阵(BM)完全遮挡住,从而容易出现在左右一定视角下的串色不良问题。
因此,现阶段的阵列基板和显示面板的结构设计仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
本发明是基于发明人的下列发现而完成的:
本发明人在研究过程中发现,可将设置在阵列基板的衬底上的遮光层图案扩大至信号线的下方,且遮光层能完全覆盖住信号线的区域,如此,不仅可保证对开关处的遮挡效果,并避免了现有的只设在有源层与栅极线交叠处的遮光层出现偏移而容易导致TFT特性异常的技术问题,还可进一步实现黑矩阵的遮挡信号线的效果。
有鉴于此,本发明的一个目的在于提出一种提升TFT开关特性、解决串色问题或者提升产品良率的阵列基板。
在本发明的第一方面,本发明提出了一种阵列基板。
根据本发明的实施例,所述阵列基板包括:衬底;遮光层,所述遮光层设置在所述衬底的一侧;信号线,所述信号线设置在所述遮光层远离所述衬底的一侧;其中,所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述信号线在所述衬底上的正投影。
发明人意外地发现,本发明实施例的阵列基板,其衬底上的遮光层可完全覆盖信号线所在的区域,如此,不仅可保证对开关处的遮光效果,并避免了现有的只设在有源层与栅极线交叠处的遮光层出现偏移而容易导致TFT特性异常的技术问题,从而提高了该阵列基板的良品率,而且还可进一步实现黑矩阵的遮挡信号线的效果。
另外,根据本发明上述实施例的阵列基板,还可以具有如下附加的技术特征:
根据本发明的实施例,所述信号线包括多条栅极线和多条数据线,且所述栅极线沿第一方向延伸且在第二方向上间隔设置,所述数据线沿所述第二方向延伸且在所述第一方向上间隔设置,并且,所述第一方向与所述第二方向相互交叉。
根据本发明的实施例,所述遮光层包括:第一部分,所述第一部分在所述衬底的正投影覆盖所述栅极线在所述衬底的正投影;第二部分,所述第二部分在所述衬底的正投影覆盖所述数据线在所述衬底的正投影;其中,所述第一部分和所述第二部分限定出多个呈阵列分布的开口。
在本发明的第二方面,本发明提出了一种显示面板。
根据本发明的实施例,所述显示面板包括上述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的