[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

外围电路元件，所述外围电路元件设置在下基板上方；

上基板，所述上基板设置在部分覆盖所述外围电路元件的层间介电层上方；

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括在垂直于所述上基板的顶表面的第一方向上延伸的沟道结构以及堆叠在所述上基板上方以围绕所述沟道结构的多条栅极线；以及

多个晶体管，所述多个晶体管将所述栅极线电联接到所述外围电路元件，

所述晶体管包括：

栅极，所述栅极设置在所述层间介电层上方并且被设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列交叠；

多个垂直沟道，所述多个垂直沟道在所述第一方向上穿过所述栅极并且分别电联接到所述栅极线；以及

栅极介电层，所述栅极介电层被设置在所述垂直沟道和所述栅极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，所述栅极线在第二方向上按照不同的长度延伸以形成存储单元区域的阶梯区域，并且

其中，所述晶体管被设置为在所述第一方向上与所述存储单元区域的所述阶梯区域交叠。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，该半导体存储装置还包括：

多个焊盘，所述多个焊盘被设置在所述栅极线在所述阶梯区域中的对应的阶梯部分上方并且所述多个焊盘分别电联接到所述栅极线；以及

多个第一接触件，所述多个第一接触件分别从所述垂直沟道的顶端沿所述第一方向延伸，穿过所述对应的阶梯部分，并分别与所述焊盘电联接。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述焊盘被设置有不同的高度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，所述外围电路元件包括电联接到所述栅极的块解码器，并且

其中，所述块解码器被设置为在所述第一方向上与所述晶体管交叠。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，该半导体存储装置还包括：

多条全局行线，所述多条全局行线被设置在所述层间介电层中并分别联接到所述垂直沟道的底端。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，

其中，所述外围电路元件包括电联接到所述全局行线的全局线解码器，并且

其中，所述全局线解码器被设置为在所述第一方向上与所述晶体管交叠。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述栅极具有与所述上基板相同的厚度。

9.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

外围电路元件，所述外围电路元件设置在下基板上方；

上基板，所述上基板设置在覆盖所述外围电路元件的层间介电层上方；

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括在垂直于所述上基板的顶表面的第一方向上延伸的沟道结构、堆叠在所述上基板上方以围绕所述沟道结构的多条栅极线以及联接到所述沟道结构的位线；以及

晶体管，所述晶体管将所述位线电联接到所述外围电路元件，

所述晶体管包括：

栅极，所述栅极设置在所述层间介电层上方并且被设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列交叠；

垂直沟道，所述垂直沟道在所述第一方向上穿过所述栅极并且电联接到所述位线；以及

栅极介电层，所述栅极介电层被设置在所述垂直沟道和所述栅极之间。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，所述栅极具有与所述上基板相同的厚度。