[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810145738.5 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN110164768B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底表面具有栅极结构；
在所述栅极结构两侧的基底内分别形成开口；
在所述开口内进行表面处理，在至少部分所述开口的内壁表面形成扩散区，所述扩散区内有空隙；
在所述扩散区上形成填充所述开口的外延层，所述外延层内具有源漏离子；
形成所述扩散区之前形成种子层，所述种子层内掺杂有所述源漏离子。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述扩散区的厚度为：5纳米～15纳米。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口和种子层的形成方法包括：在所述栅极结构两侧的基底内分别形成初始开口；在所述初始开口的侧壁和底部表面形成种子层，使所述初始开口形成开口。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成扩散区之后，形成外延层之前，在所述开口的侧壁和底部表面形成所述种子层。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述扩散区位于所述开口的底部。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述扩散区位于所述开口的侧壁和底部。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，晶体管为PMOS晶体管时，所述外延层的材料包括硅锗，所述源漏离子为P型离子。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述表面处理工艺包括第一离子注入工艺。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的参数包括：注入离子包括硅，注入能量为3千电子伏～15千电子伏，注入剂量为1e13原子数/平方厘米～1e15原子数/平方厘米，注入角度为0度～15度。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，晶体管为NMOS晶体管时，所述外延层的材料包括碳化硅，所述源漏离子为N型离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
