[发明专利]一种用于检测GOA电路失效的电路及方法、显示面板有效
| 申请号: | 201810140465.5 | 申请日: | 2018-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN108269515B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
| 发明(设计)人: | 曾勉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00 |
| 代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 检测 goa 电路 失效 方法 显示 面板 | ||
1.一种用于检测GOA电路失效的电路,其特征在于,包括:多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管以及多个允许信号单向流通的单向导通模块;
其中,所述第一薄膜晶体管的源极和漏极分别与GOA电路中GOA单元的输出端以及所述第二薄膜晶体管的栅极连接,所述第一薄膜晶体管的栅极用于接入控制所述第一薄膜晶体管打开或者关断的控制信号;
所述第二薄膜晶体管的源极接入时钟信号或者反相时钟信号,所述第二薄膜晶体管的漏极通过所述单向导通模块连接至用于信号检测的成盒检测装置;
所述多个第一薄膜晶体管的漏极与所述多个第二薄膜晶体管的栅极之间一一对应连接,所述多个第二薄膜晶体管的漏极与多个所述单向导通模块之间一一对应连接,所述第一薄膜晶体管的源极与GOA电路中GOA单元的输出端之间一一对应连接。
2.根据权利要求1所述的用于检测GOA电路失效的电路,其特征在于,
所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述单向导通模块的数量与所述GOA电路中GOA单元的级数相同。
3.根据权利要求1所述的用于检测GOA电路失效的电路,其特征在于,所述单向导通模块包括第三薄膜晶体管;
所述第三薄膜晶体管的栅极和源极连接且所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述成盒检测装置连接。
4.根据权利要求1所述的用于检测GOA电路失效的电路,其特征在于,所述用于检测GOA电路失效的电路中的薄膜晶体管均为P沟道的薄膜晶体管或者N沟道的薄膜晶体管;
所述控制信号为高电位电压信号或者低电位电压信号。
5.根据权利要求1所述的用于检测GOA电路失效的电路,其特征在于,所述GOA电路包括奇数级GOA单元和偶数级GOA单元,所述多个第一薄膜晶体管中包含有与所述奇数级GOA单元连接的第一部分第一薄膜晶体管以及与所述偶数级GOA单元连接的第二部分第一薄膜晶体管,所述多个第二薄膜晶体管中包含有与所述第一部分第一薄膜晶体管连接的第一部分第二薄膜晶体管以及与所述第二部分第一薄膜晶体管连接的第二部分第二薄膜晶体管;
所述第一部分第二薄膜晶体管的源极接入时钟信号;所述第二部分第二薄膜晶体管的源极接入反相时钟信号。
6.根据权利要求1所述的用于检测GOA电路失效的电路,其特征在于,当所述第二薄膜晶体管通过所述第一薄膜晶体管与所述GOA电路中的奇数级GOA单元连接时,所述第二薄膜晶体管的漏极通过所述单向导通模块与所述成盒检测装置的第一端子连接;当所述第二薄膜晶体管通过所述第一薄膜晶体管与所述GOA电路中的偶数级GOA单元连接时,所述第二薄膜晶体管的漏极通过所述单向导通模块与所述成盒检测装置的第二端子连接。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的用于检测GOA电路失效的电路。
8.一种用于检测GOA电路失效的方法,应用于权利要求1~6任一项所述的用于检测GOA电路失效的电路中,其特征在于,包括下述步骤:
输送控制信号至第一薄膜晶体管,将所述第一薄膜晶体管打开;
输送时钟信号或者反相时钟信号至所述第二薄膜晶体管的源极;
检测单向导通模块输出的信号,若单向导通模块输出的信号波形相对于所述时钟信号或者所述反相时钟信号而言,发生变化,则判断与所述第一薄膜晶体管连接的GOA单元失效。
9.根据权利要求8所述的用于检测GOA电路失效的方法,其特征在于,输送时钟信号或者反相时钟信号至所述第二薄膜晶体管的源极,具体为:
当所述第二薄膜晶体管通过所述第一薄膜晶体管连接在奇数级的GOA单元上时,输送时钟信号至所述第二薄膜晶体管的源极;
当所述第二薄膜晶体管通过第一薄膜晶体管连接在偶数级的GOA单元上时,输送反相时钟信号至所述第二薄膜晶体管的源极。
10.根据权利要求8所述的用于检测GOA电路失效的方法,其特征在于,还包括下述步骤:
完成检测单向导通模块输出的信号后,输送控制信号至所述第一薄膜晶体管,将所述第一薄膜晶体管关闭;其中,用于控制所述第一薄膜晶体管打开的控制信号为高电位电压信号和低电位电压信号中的一个,用于控制所述第一薄膜晶体管关闭的控制信号为高电位电压信号和低电位电压信号中的另一个。
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