[发明专利]用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法在审
申请号: | 201810139334.5 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108389826A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 曹玉飞;邱智中;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 点状胶 基体膜 粘合层 不连续 拉伸 薄膜 半导体领域 污染问题 平铺状 通过点 形变量 粘附的 复数 去除 粘附 制作 改进 | ||
本发明属于半导体领域,尤其涉及用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法,在其一实施例中包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层,所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。本发明将现有技术中呈平铺状均匀分布的粘合层改进为由不连续排列的点状胶组成的粘合层,当扩膜时,晶粒则置于点状胶上,并通过点状胶粘附于基体膜上,该基体膜受外力拉伸时,点状胶随基体膜被拉伸而产生的形变量较小,从而在后续去除晶粒时,晶粒上粘附的胶较少,从而改善晶粒在扩膜时的胶污染问题。
技术领域
本发明属于半导体领域,尤其涉及一种防止晶粒因扩膜而造成胶脏污染的用于晶粒扩膜的薄膜以及该薄膜的制作方法。
背景技术
在半导体器件的制作过程中,当由晶圆切割为晶粒的过程中或切割完成后经常使用粘贴薄膜(如在LED芯片中,通常使用蓝膜胶带或白膜胶带)承接并进行扩膜。
参看附图1和2,通常粘贴薄膜10的单面或者双面均匀地分布有粘性胶20,晶粒30即通过粘附于粘性胶20上而固定于粘贴薄膜10上进行扩膜。而当扩膜时,粘性胶20受外力F拉伸,其易粘附于晶粒30表面而不易去除,从而产生胶污染问题,而受到胶污染的晶粒在光电性及封装等方面都会有负面影响。
发明内容
为解决现有技术中晶粒扩膜时引起的胶污染问题,本发明在其一方面提供了用于晶粒扩膜的薄膜,包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层,其特征在于:所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
优选的,所述粘合层上还设置有多孔膜,所述多孔膜具有复数个孔洞,所述孔洞的位置与点状胶位置对应。
优选的,所述基体膜与多孔膜之间还设置有粘合基体膜与多孔膜的片状胶。
优选的,所述片状胶与点状胶一体成型。
优选的,所述点状胶的尺寸范围为0.1-10μm,间距范围为0.1-10μm。
优选的,所述点状胶的形状为圆形、方形、三角形或者不规则形。
优选的,所述点状胶或片状胶的材料为亚克力胶或橡胶。
优选的,所述点状胶规则或者不规则排列。
优选的,所述基体膜和多孔膜的材料相同或者不同,为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。
优选的,所述基体膜和多孔膜的厚度相同或者不同。
优选的,所述点状胶的上表面与多孔膜上表面齐平或者高于多孔膜的上表面。
为制作上述的用于晶粒扩膜的薄膜,本发明提供了如下制作方法,在其一制作方法中,包括如下步骤:
S11、提供一基体膜;
S21、于所述基体膜上设置网状材料层;
S31、于所述网状材料层上涂覆粘合层;
S41、去除网状材料层,于所述基体膜上形成由复数个不连续排列的点状胶组成的粘合层,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
在其二制作方法中,用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S12、提供一基体膜;
S22、于所述基体膜上涂覆粘合层;
S32、将多孔膜设置于粘合层表面,多孔膜具有复数个孔洞;
S42、对多孔膜施加一定压力,所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司,未经安徽三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810139334.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:转置装置
- 下一篇:晶圆适配器验证修复工具及其验证修复方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造