[发明专利]用于晶粒扩膜的薄膜及其制作方法在审
| 申请号: | 201810139334.5 | 申请日: | 2018-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN108389826A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
| 发明(设计)人: | 曹玉飞;邱智中;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶粒 点状胶 基体膜 粘合层 不连续 拉伸 薄膜 半导体领域 污染问题 平铺状 通过点 形变量 粘附的 复数 去除 粘附 制作 改进 | ||
1.用于晶粒扩膜的薄膜,包括基体膜以及位于基体膜上的粘合层,其特征在于:所述粘合层由复数个不连续排列的点状胶组成,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
2.根据权利要求1所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述粘合层上还设置有多孔膜,所述多孔膜具有复数个孔洞,所述孔洞的位置与点状胶位置对应。
3.根据权利要求2所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述基体膜与多孔膜之间还设置有粘合基体膜与多孔膜的片状胶。
4.根据权利要求3所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述片状胶与点状胶一体成型。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶的尺寸范围为0.1-10μm,间距范围为0.1-10μm。
6.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶的形状为圆形、方形、三角形或者不规则形。
7.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶或片状胶的材料为亚克力胶或橡胶。
8.根据权利要求1~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶规则或者不规则排列。
9.根据权利要求2~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述基体膜与多孔膜的材料相同或不同,为聚丙烯、聚乙烯和聚酰胺中的任意一种。
10.根据权利要求2~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述基体膜和多孔膜的厚度相同或者不同。
11.根据权利要求2~4任意一项所述的用于晶粒扩膜的薄膜,其特征在于:所述点状胶的上表面与多孔膜上表面齐平或者高于多孔膜的上表面。
12.用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S11、提供一基体膜;
S21、于所述基体膜上设置网状材料层;
S31、于所述网状材料层上涂覆粘合层;
S41、去除网状材料层,于所述基体膜上形成由复数个不连续排列的点状胶组成的粘合层,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
13.用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,包括如下步骤:
S12、提供一基体膜;
S22、于所述基体膜上涂覆粘合层;
S32、将多孔膜设置于粘合层表面,多孔膜具有复数个孔洞;
S42、对多孔膜施加一定压力,所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶,所述点状胶的尺寸小于晶粒的尺寸。
14.根据权利要求13所述的用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,其特征在于:所述步骤S42中,全部所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶。
15.根据权利要求13所述的用于晶粒扩膜的薄膜的制作方法,其特征在于:所述步骤S42中,部分所述粘合层由孔洞内向多孔膜一侧突出形成不连续排列的点状胶剩余部分粘合层形成片状胶,所述片状胶粘附基体膜和多孔膜并与点状胶一体成型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





