[发明专利]像素补偿电路及其老化方法

说明书

一种像素补偿电路及其老化方法，该像素补偿电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、电容、发光二极管、复位电压端、初始化电压端、第一电压源端、扫描电压端、数据电压端、控制电压端以及第二电压源端；其中，初始化电压端的电压值大于第一电压源端的电压值，数据电压端的电压值大于初始化电压端的电压值，第一电压源端的电压值大于第二电压源端的电压值。上述像素补偿电路及其老化方法，通过实现驱动薄膜晶体管反偏，使处于非正常的工作状态下的驱动薄膜晶体管MDTFT沟道及界面的缺陷态电子重新排布，从而达到降低驱动薄膜晶体管的漏电流的效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种像素补偿电路及其老化方法。

背景技术

AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示屏幕由于其具备的高对比度、高分辨率、低功耗、响应速度快等优点，受到了面板制备行业和手机、电脑等厂家的广泛关注。

随着科技的发展，在显示产品的市场发展趋势中，显示产品的分辨率会越来越高。而随着产品分辨率的提升，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)背板的制程及制备难度也会越来越高，且各类TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)也需要越做越小，使得产品的部分性能受损。

与非晶硅薄膜晶体管相比，多晶硅薄膜晶体管的载流子迁移率高2至3个数量级，这使得多晶硅薄膜晶体管在高分辨率平板上有极大的优势。然而，多晶硅薄膜晶体管的关态电流(即漏电流)比非晶硅薄膜晶体管高近1个数量级。漏电流过大，则会影响薄膜晶体管的开关特性，从而导致显示产品出现不均、发白、窜扰等显示类缺陷。

而为了降低TFT的漏电流，提升TFT的漏电特性，从而解决显示产品的显示亮点及显示不均等问题，需要对TFT进行老化设计，即降低或消除显示产品的漏电流。其中，由于TFT有着较小的宽长比，漏电流较小，传统AMOLED产品老化设计时基本不需要考虑TFT的老化。但随着产品分辨率的提升，需要更高的制备能力来对应，难免会损失产品器件性能。由于现有的TFT精度的提高，致使空间的压缩，导致TFT的宽度及长度也会随之改变，且随着线宽的减小，制程的波动水平会更加剧烈，TFT的漏电流会增加，致使产品显示不均或产生亮点等问题。

发明内容

基于此，有必要针对由于现有的TFT精度的提高，致使空间的压缩，导致TFT的宽度及长度也随之改变，且随着线宽的减小，TFT的漏电流增加，致使产品显示不均或产生亮点的技术问题，提供一种像素补偿电路及其老化方法。