[发明专利]像素补偿电路及其老化方法

权利要求书

1.一种像素补偿电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、电容、发光二极管、复位电压端、初始化电压端、第一电压源端、扫描电压端、数据电压端、控制电压端以及第二电压源端；

所述第一薄膜晶体管的控制端与所述复位电压端连接，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述初始化电压端连接，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述电容的第一极连接，所述电容的第二极与所述第一电压源端连接；

所述第二薄膜晶体管的控制端与所述扫描电压端连接，所述第二薄膜晶体管的第一极与所述电容的第一极连接，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述驱动薄膜晶体管的第一极连接；

所述第三薄膜晶体管的控制端与所述扫描电压端连接，所述第三薄膜晶体管的第一极与所述数据电压端连接，所述第三薄膜晶体管的第二极与所述驱动薄膜晶体管的第二极连接，所述驱动薄膜晶体管的驱动端与所述电容的第一极连接；

所述第四薄膜晶体管的控制端与所述控制电压端连接，所述第四薄膜晶体管的第一极与所述第一电压源端连接，所述第四薄膜晶体管的第二极与所述驱动薄膜晶体管的第二极连接；

所述第五薄膜晶体管的控制端与所述控制电压端连接，所述第五薄膜晶体管的第一极与所述驱动薄膜晶体管的第一极连接，所述第五薄膜晶体管的第二极与所述发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极与所述第二电压源端连接；

其中，所述初始化电压端的电压值大于所述第一电压源端的电压值，所述数据电压端的电压值大于所述初始化电压端的电压值，所述第一电压源端的电压值大于所述第二电压源端的电压值。

2.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述像素补偿电路还包括第六薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的控制端与所述复位电压端连接，所述第六薄膜晶体管的第一极与所述初始化电压端连接，所述第六薄膜晶体管的第二极与所述发光二极管的阳极连接。

3.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述初始化电压端的电压值的范围为5V～20V。

4.根据权利要求3所述的像素补偿电路，其特征在于，所述数据电压端的电压值的范围为5V～20V。

5.根据权利要求4所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第一电压源端的电压值的范围为-20V～20V。

6.根据权利要求5所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第二电压源端的电压值的范围为-40V～0V。

7.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述驱动晶体管均为P型薄膜晶体管。

8.一种像素补偿电路的老化方法，其特征在于，采用如权利要求1至7中任一项所述的像素补偿电路实现，所述像素补偿电路的老化方法包括如下步骤：

初始化步骤：将所述复位电压端的电压值设置为低电位第一时间阈值，以使所述第一薄膜晶体管导通，在所述第一时间阈值后将所述复位电压端RST的电压值设置为高电位；

补偿步骤：将所述扫描电压端的电压值设置为低电位第二时间阈值，以使所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管及驱动薄膜晶体管导通，在所述第二时间阈值后将所述扫描电压端的电压值设置为高电位；

发光步骤：将所述控制电压端的电压值设置为低电位第三时间阈值，以使第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管导通，在所述第三时间阈值后将所述扫描电压端的电压值设置为高电位；

依次重复所述初始化步骤、所述补偿步骤及所述发光步骤N次，完成所述像素补偿电路的老化过程，其中N为大于等于1的自然数。

9.根据权利要求8所述的像素补偿电路的老化方法，其特征在于，所述第一时间阈值、第二时间阈值和第三时间阈值的范围为1：(30～80)秒。

10.根据权利要求9所述的像素补偿电路的老化方法，其特征在于，完成所述像素补偿电路的老化过程的时间为10秒～10分。