[发明专利]具有接触跨接线的集成电路有效
| 申请号: | 201810131037.6 | 申请日: | 2018-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN108400129B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
| 发明(设计)人: | 都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L27/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 接触 接线 集成电路 | ||
公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区,沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
优先权声明
本申请要求于2017年2月8日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2017-0017676以及于2017年6月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2017-0081831的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明构思涉及集成电路,尤其涉及标准单元、包括标准单元的标准单元库、集成电路以及用于设计集成电路的计算机实现方法和计算系统。
背景技术
集成电路可以基于标准单元来设计。具体而言,可以通过布置定义集成电路的标准单元(标准单元“布置”)并布线标准单元来生成集成电路的布局。随着半导体工艺的设计规则变得更小,诸如图案大小之类的布局的方面可能变得更小,从而可以满足设计规则。具体地,在包括诸如finFET之类的鳍的集成电路的示例中,鳍的节距可能不得不减小,这又导致标准单元中的有源区具有更小的占用面积。因此,可以减小标准单元的“高度”(布局中的标准单元的尺寸)。
发明内容
根据本发明构思的一个方面,提供了一种集成电路,包括:第一有源区和第二有源区,均沿第一方向延伸;第一栅极线,沿与第一方向基本上垂直的第二方向跨过第一有源区和第二有源区纵向延伸;以及第一接触跨接线,包括在所述第一有源区上方跨过所述第一栅极线的第一导电图案和在所述第一栅极线上方沿所述第二方向纵向延伸并与所述第一导电图案连接的第二导电图案。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种集成电路,包括:第一有源区和第二有源区,均沿第一方向延伸;沿第一方向彼此间隔开的第一栅极线和第二栅极线,第一栅极线和第二栅极线中的每一个沿基本上垂直于第一方向的第二方向跨过第一有源区和第二有源区纵向延伸;以及第一接触跨接线,包括在第一有源区上方跨过第一栅极线和第二栅极线的第一导电图案和在集成电路的俯视图中观看时在第一栅极线和第二栅极线之间沿第二方向纵向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种集成电路,包括:第一有源区和第二有源区,沿第一方向延伸并且沿基本上垂直于第一方向的第二方向间隔开,使得沿所述第二方向存在介于所述第一有源区与所述第二有源区之间的中间区,第一栅极线和第二栅极线,沿所述第一方向彼此间隔开,所述第一栅极线和所述第二栅极线中的每一个沿第二方向跨过所述第一有源区和所述第二有源区以及所述中间区纵向延伸,接触跨接线,包括在第一有源区上方跨过第一栅极线的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向纵向延伸并连接到第导电图案的第二导电图案,第一通孔和第二通孔,在第一和第二有源区之间的中间区中沿第一方向彼此对准,所述第一通孔设置在所述第二导电图案上,所述第二通孔位于所述第二栅极线上方;以及第一金属层,包括在所述第一有源区上方沿所述第一方向延伸的第一金属图案、在第二有源区上方沿第一方向延伸的第二金属图案以及在中间区中沿第二方向延伸并分别设置在第一通孔和第二通孔上的多个第三金属图案。
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