[发明专利]硬掩模用组合物

说明书

本发明提供一种硬掩模用组合物，其通过包含含有下述化学式1的重复单元的聚合物及溶剂，从而能够形成平坦性、溶解性和耐蚀刻性同时提高的硬掩模。化学式1中，Ar₁和Ar₂各自独立地为苯二基或萘二基，Ar₃和Ar₄各自独立地为苯基或萘基，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数。化学式1

技术领域

本发明涉及一种硬掩模用组合物。

背景技术

例如，在半导体制造、微电子等领域中，电路、配线、绝缘图案之类的结构物的集成度正在持续增大。因此，用于上述结构物的微细图案化的光刻工序也被一同开发。

一般而言，在蚀刻对象膜上涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层，通过曝光及显影工序而形成光致抗蚀剂图案。接着，将上述光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，将上述蚀刻对象膜部分地去除，从而可以形成预定的图案。在进行对于上述蚀刻对象膜的图像转印后，上述光致抗蚀剂图案可以通过灰化(ashing)和/或剥离(strip)工序而被去除。

为了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间形成防反射涂布(anti-refractive coating；ARC)层。该情况下，会追加对于上述ARC层的蚀刻，因此上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的消耗量或蚀刻量可能会增加。此外，上述蚀刻对象膜的厚度增加或形成期望的图案时所需的蚀刻量增加的情况下，可能无法确保所要求的上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的充分的耐蚀刻性。

因此，为了确保用于形成期望的图案的光致抗蚀剂的耐蚀刻性和蚀刻选择比，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间追加抗蚀剂下部膜。

上述抗蚀剂下部膜需要具有例如对于高温蚀刻工序的充分的耐蚀刻性(etchingresistance)、耐热性，此外，有必要通过例如旋涂工序以均匀的厚度形成。

韩国公开专利第10-2010-0082844号公开了抗蚀剂下部膜形成组合物的一例。

现有技术文献

专利文献

韩国公开专利第10-2010-0082844号

发明内容

所要解决的课题

本发明的一课题在于，提供能够形成具有优异的耐蚀刻性、溶解性和平坦性的硬掩模的硬掩模用组合物。

解决课题的方法

1.一种硬掩模用组合物，其包含含有下述化学式1的重复单元的聚合物及溶剂，

[化学式1]

(式中，Ar₁和Ar₂各自独立地为苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，Ar₃和Ar₄各自独立地为苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄的氢原子各自独立地可以被羟基取代，选自由Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄组成的组中的至少两个可以将彼此的氢原子取代而连接形成环，n为1～200的整数)。