[发明专利]集成电路器件

说明书

本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。

技术领域

本发明构思的示范性实施方式涉及一种集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法，更具体地，涉及包括金属布线层的集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。

背景技术

随着技术的进步，集成电路器件正迅速地变得更加按比例缩小。因此，集成电路器件中包括的金属布线层的线宽度和节距正在减小。在这方面，抑制金属布线层的电阻增加和电流泄漏以及抑制金属的电迁移可以防止或减少集成电路器件的时间依赖介电击穿(TDDB)，从而提高集成电路器件的可靠性和使用寿命。

发明内容

本发明构思的示范性实施方式提供一种具有金属布线结构的集成电路器件，该金属布线结构能够通过抑制金属布线层的电阻增加和电流泄露并通过抑制金属的电迁移而提高可靠性。

本发明构思的示范性实施方式提供一种制造集成电路器件的方法，该集成电路器件具有能够通过抑制金属布线层的电阻增加和电流泄露并通过抑制金属的电迁移而提高可靠性的金属布线结构。

根据本发明构思的一示范性实施方式，一种集成电路器件包括：金属膜，包含第一金属并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分；以及复合盖层，覆盖金属膜的顶表面。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层。导电合金盖层包括半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面。

根据本发明构思的一示范性实施方式，一种集成电路器件包括：金属膜，包含第一金属并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分；以及复合盖层，覆盖金属膜的顶表面。复合盖层包括：第一导电合金盖层，包含第一半导体元素和不同于第一金属的第二金属；第二导电合金盖层，包含第一金属和第二半导体元素并设置在金属膜和第一导电合金盖层之间；以及绝缘盖层，覆盖绝缘膜和第一导电合金盖层。

根据本发明构思的一示范性实施方式，一种集成电路器件包括：形成在基板之上的第一绝缘膜；穿过第一绝缘膜的至少一部分的多个导电层；以及第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜和所述多个导电层之上。所述多个导电层的每个包括：包含第一金属的金属膜；围绕金属膜的底表面和侧壁的导电的阻挡膜；以及覆盖金属膜的顶表面和导电的阻挡膜的顶表面的复合盖层。复合盖层包括：第一导电合金盖层，包含第一半导体元素和不同于第一金属的第二金属；第二导电合金盖层，包含第一金属和第二半导体元素并设置在金属膜和第一导电合金盖层之间；以及绝缘盖层，覆盖第一绝缘膜和第一导电合金盖层。被绝缘盖层和第二绝缘膜围绕的空气间隙设置在所述多个导电层当中的两个相邻的导电层之间。

根据本发明构思的一示范性实施方式，一种制造集成电路器件的方法包括通过蚀刻设置在基板上的绝缘膜而形成第一孔。该方法还包括在第一孔内形成包含第一金属的金属膜。该方法还包括在金属膜之上形成包括不同于第一金属的第二金属的第一导电盖层。该方法还包括通过在包括第一半导体元素的气体环境下退火第一导电盖层而由第一导电盖层形成包含第一半导体元素的第一导电合金盖层。该方法还包括在第一导电合金盖层和绝缘膜之上形成包含第二金属的绝缘盖层。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示范性实施方式，本发明构思的以上和其它的特征将变得更加明显，附图中：

图1至图10是根据本发明构思的示范性实施方式的集成电路器件的部件的剖视图。

图11A至图11J是示出根据本发明构思的一示范性实施方式的制造集成电路器件的方法的剖视图。

图12A至图12C是示出根据本发明构思的一示范性实施方式的制造集成电路器件的方法的剖视图。