[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

金属膜，包含第一金属并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分；和

复合盖层，覆盖所述金属膜的顶表面，

其中所述复合盖层包括：

导电合金盖层，覆盖所述金属膜的所述顶表面，其中所述导电合金盖层包含半导体元素以及不同于所述第一金属的第二金属；

绝缘盖层，覆盖所述导电合金盖层的顶表面和所述绝缘膜的顶表面，其中所述绝缘盖层包含第三金属；和

氮化的合金层，设置在所述导电合金盖层和所述绝缘盖层之间，其中所述氮化的合金层包含所述第二金属、所述半导体元素和氮原子。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述金属膜由铜(Cu)、钨(W)、钴(Co)、钌(Ru)、锰(Mn)、钛(Ti)或钽(Ta)形成，并且

所述导电合金盖层由包含Co、镍(Ni)、Ta、Ru、W、Mn或其组合的金属或合金形成。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述半导体元素是硅(Si)和锗(Ge)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述绝缘盖层由铝氮化物(AlN)、铝氮氧化物(AlON)、铝氧化物(AlO)或铝碳氧化物(AlOC)形成。

5.一种集成电路器件，包括：

金属膜，包含第一金属并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分；和

复合盖层，覆盖所述金属膜的顶表面，

其中所述复合盖层包括：

第一导电合金盖层，包含第一半导体元素和不同于所述第一金属的第二金属；

第二导电合金盖层，包含所述第一金属和第二半导体元素，其中所述第二导电合金盖层设置在所述金属膜和所述第一导电合金盖层之间；以及

绝缘盖层，覆盖所述绝缘膜和所述第一导电合金盖层。

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述第一金属是铜(Cu)、钨(W)、钴(Co)、钌(Ru)、锰(Mn)、钛(Ti)或钽(Ta)，并且

所述第二金属是Co、镍(Ni)、Ta、Ru、W、Mn或其组合。

7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述第一半导体元素是硅(Si)和锗(Ge)中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述第二半导体元素是硅(Si)和锗(Ge)中的至少一种。

9.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述第一半导体元素和所述第二半导体元素是相同的元素。

10.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述绝缘盖层由铝氮化物(AlN)、铝氮氧化物(AlON)、铝氧化物(AlO)或铝碳氧化物(AlOC)形成。

11.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述绝缘盖层包括：

第一绝缘盖层，由铝氮化物(AlN)、铝氮氧化物(AlON)、铝氧化物(AlO)或铝碳氧化物(AlOC)形成；和

第二绝缘盖层，由硅碳化物(SiC)、硅氮化物(SiN)、氮掺杂的硅碳化物(SiC:N)或硅碳氧化物(SiOC)形成。

12.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述复合盖层还包括：

氮化的合金层，设置在所述第一导电合金盖层和所述绝缘盖层之间，

其中所述氮化的合金层包含所述第二金属、所述第一半导体元素和氮原子。

13.根据权利要求5所述的集成电路器件，还包括：

围绕所述金属膜的导电的阻挡膜。

14.根据权利要求13所述的集成电路器件，其中所述第二导电合金盖层的侧壁被所述导电的阻挡膜覆盖。