[发明专利]半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其包括：

衬底，所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

光发射器，所述光发射器是在所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的发光区域；

光检测器，所述光检测器是在所述衬底的所述第一表面上，且具有邻接于所述衬底的所述第一表面的光接收区域；

透明导电薄膜，其在所述衬底的所述第二表面上；及

阻光元件，其安置于所述衬底内且穿过所述衬底，其中所述阻光元件是导电的，其中所述阻光元件电连接到所述透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述透明导电薄膜包括透明导电氧化物、导电聚合物、金属栅格、碳纳米管、石墨烯、纳米线网格或超薄金属薄膜。

3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述阻光元件安置于所述光发射器与所述光检测器之间。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述衬底进一步包括导电层，其邻接于所述衬底的所述第一表面，且所述导电层经由所述阻光元件电连接到所述透明导电薄膜。

5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中所述阻光元件包括石墨烯。

6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括：

第一透明层，所述第一透明层是在所述光发射器与所述衬底的所述第一表面之间；

第二透明层，所述第二透明层是在所述光检测器与所述衬底的所述第一表面之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中所述第一透明层及所述第二透明层是底部填充件。

8.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其进一步包括不透光层，其位于所述衬底的所述第一表面上以覆盖所述光发射器、所述光检测器、所述第一透明层及所述第二透明层的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中所述不透光层包括模制化合物。

10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述衬底是玻璃衬底。

11.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中所述透明导电薄膜电连接至所述不透光层。

12.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其进一步包括导电元件，其将在所述衬底上之导电垫电连接至所述不透光层上之导电接点。

13.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括导电元件，其位于光发射器与光检测器之间。

14.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述阻光元件具有宽度大于约10微米(μm)。

15.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中所述第一透明层覆盖光发射器的所述发光区域。

16.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中所述第二透明层覆盖光检测器的所述光接收区域。