[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效
申请号: | 201810123078.0 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN108417559B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 陈毅;叶昶麟;高仁杰 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768;H01L21/764;H01L23/58;H01Q1/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
一种半导体封装装置包含第一衬底、第二衬底和第一间隔件。所述第一衬底包含第一经划分衬垫。所述第二衬底包含安置于所述第一经划分衬垫上方的第二经划分衬垫。所述第一间隔件安置于所述第一经划分衬垫与所述第二经划分衬垫之间。所述第一间隔件与所述第一经划分衬垫和所述第二经划分衬垫接触。
本申请要求2017年2月8日申请的第62/456,553号美国临时申请的权和优先权益,所述美国临时申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及一种半导体封装装置和一种制造所述半导体封装装置的方法,并涉及一种包含天线结构的半导体封装装置和一种制造所述半导体封装装置的方法。
背景技术
移动通信的发展以引起对于高数据速率和稳定通信质量的需求,且高频无线传输(例如28GHz或60GHz)已变成移动通信行业中的一个最重要的话题。为了实现此类高频无线发射,可在具有自约十毫米到约一毫米的波长(“毫米波(millimeter wave/mmWave)”的频带)中发射信号。但是,信号衰减在毫米波发射中是一个问题。
发明内容
在一或多个实施例中,根据一个方面,一种半导体封装装置包含第一衬底、第二衬底和第一间隔件。所述第一衬底包含第一经划分衬垫。所述第二衬底包含安置于所述第一经划分衬垫上方并面朝所述第一天线的第二经划分衬垫。所述第一间隔件安置于所述第一经划分衬垫与所述第二经划分衬垫之间。所述第一间隔件与所述第一经划分衬垫和所述第二经划分衬垫接触。
在一或多个实施例中,根据另一方面,一种半导体封装装置包含第一衬底、第二衬底和至少两个间隔件。所述第一衬底包含第一衬垫。所述第二衬底包含安置于所述第一衬垫上方并面朝所述第一衬垫的第二衬垫。至少两个间隔件安置于所述第一衬垫与所述第二衬垫之间。
在一或多个实施例中,根据另一方面,一种制造半导体封装装置的方法包含:(a)提供第一衬底,所述第一衬底包含第一组衬垫;(b)在所述第一组衬垫上安置多个间隔件,其中所述间隔件中的至少两个安置于所述第一组衬垫中的第一衬垫上;以及(c)在所述第一衬底上安置第二衬底,所述第二衬底包含分别安置于所述第一组衬垫上方的第二组衬垫,其中所述第二组衬垫中的第二衬垫安置于所述间隔件中的所述至少两个上。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意,各种特征可能未按比例绘制,且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。
图1说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。
图2说明根据本公开的一些实施例的包含图1中展示的衬底的衬底条的俯视图。
图3A说明根据本公开的一些实施例的图1中的支撑结构的横截面图。
图3B说明根据本公开的一些实施例的图1中的支撑结构的横截面图。
图4说明根据本公开的一些实施例的图1中的支撑结构的横截面图。
图5A、图5B、图5C、图5D和图5E说明根据本公开的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。
图6说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。
图7说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。
图8A和图8B说明根据本公开的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。
图9说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的横截面图。
图10A、图10B、图10C和图10D说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的制造方法。
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