[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其包括：

第一衬底，其包含第一经划分衬垫；

第二衬底，其包含安置于所述第一经划分衬垫上方的第二经划分衬垫；

第一间隔件，其安置于所述第一经划分衬垫与所述第二经划分衬垫之间，其中所述第一间隔件与所述第一经划分衬垫和所述第二经划分衬垫接触；以及

粘合层，其覆盖所述第一间隔件的侧壁并与所述第一经划分衬垫和所述第二经划分衬垫接触。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一经划分衬垫的侧表面的粗糙度不同于所述第一经划分衬垫的上表面的粗糙度，所述上表面大体上垂直于所述第一经划分衬垫的所述侧表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一经划分衬垫的侧表面与所述第一衬底的侧表面大体上共面，且所述第二经划分衬垫的侧表面与所述第二衬底的侧表面大体上共面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置于所述第一经划分衬垫与所述第二经划分衬垫之间的第二间隔件，其中所述第二间隔件的宽度小于所述第一间隔件的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中所述第二间隔件的经划分表面与所述第一经划分衬垫的侧表面或所述第二经划分衬垫的侧表面大体上共面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述粘合层包含焊料或铜浆料中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一间隔件包含铜芯凸块或聚合物凸块。

8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一经划分衬垫与所述第二经划分衬垫之间的距离大体上等于所述第一间隔件的高度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一间隔件的熔点高于用于所述第一间隔件的回焊工艺的温度。

10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括

第一天线，其安置于所述衬底上；以及

第二天线，其安置于所述第二衬底上并面朝所述第一天线。

11.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括：

第一绝缘层，其安置于所述第一经划分衬垫上，所述第一绝缘层暴露所述第一经划分衬垫的部分；以及

第二绝缘层，其安置于所述第二经划分衬垫上，所述第二绝缘层暴露所述第二经划分衬垫的部分，

其中所述第一经划分衬垫的所述暴露部分对应于所述第二经划分衬垫的所述暴露部分。

12.一种半导体封装装置，其包括：

第一衬底，其包含第一衬垫，其中所述第一衬底包含第一凹部和第二凹部；

第二衬底，其包含面朝所述第一衬垫的第二衬垫；

至少两个间隔件，其安置于所述第一衬垫与所述第二衬垫之间，且所述至少两个间隔件的至少其中一者安置于所述第一凹部内；以及

粘合层，其安置于所述第一衬底与所述第二衬底之间，且所述粘合层安置于所述第二凹部内。

13.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其中所述第一衬底进一步包括第一绝缘层，其暴露所述第一衬垫的部分且界定所述第一凹部与所述第二凹部，所述至少两个间隔件的所述至少其中一者接触所述第一衬垫。

14.根据权利要求13所述的半导体封装装置，其中所述第二衬底进一步包括第二绝缘层，其暴露所述第二衬垫的部分且界定第三凹部，所述至少两个间隔件的所述至少其中一者安置于所述第三凹部内且接触所述第二衬垫。

15.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其中所述第一衬底包含比所述第一衬垫宽的第三衬垫，且所述第二衬底包含比所述第二衬垫宽的第四衬垫。