[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法有效
| 申请号： | 201810122972.6 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110120364B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 孙晓峰;秦仁刚;盛拓 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第二介质层；
刻蚀所述第二介质层和所述半导体衬底，以形成隔离槽；
在所述隔离槽底部和侧壁形成第三介质层；
在所述第二介质层表面和所述第三介质层表面形成第四介质层，所述第四介质层的致密度大于所述第三介质层的致密度；所述第四介质层包括氮化硅膜或氮氧化硅膜；所述第四介质层厚度在之间；
在所述隔离槽中沉积绝缘介质，以形成浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述第二介质层表面和所述第三介质层表面形成第四介质层具体包括：
利用炉管淀积或化学气相淀积的方法在所述第二介质层表面和所述第三介质层表面生成第四介质层。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述隔离槽底部和侧壁生成第三介质层之前，还包括步骤：
对所述第二介质层进行刻蚀，以露出所述半导体衬底的有源区拐角。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成第二介质层的步骤包括：
在所述半导体衬底上形成第一介质层；
在所述第一介质层上形成所述第二介质层。
5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述形成浅沟槽隔离结构的步骤之后，还包括去除所述第一介质层和所述第二介质层，然后在所述半导体衬底上形成氧化硅牺牲层的步骤，所述氧化硅牺牲层作为阱区注入的保护层。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述隔离槽的深度为0.3～0.5μm，角度在80°～88°之间。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质层厚度在之间。
8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述第四介质层厚度为
9.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，对所述第二介质层进行刻蚀，刻蚀宽度在之间。
10.根据权利 要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述隔离槽中沉积绝缘介质的步骤是采用等离子体化学气相淀积工艺，所述绝缘介质为氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810122972.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法
- 下一篇：隔离结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
