[发明专利]电极结构及电极结构的制作方法有效
| 申请号： | 201810121437.9 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108399030B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 木村徹 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 结构 制作方法 | ||
1.一种电极结构，其特征在于，包括：
依次层叠设置的基板、氧化铟锡层、金属层；及
设置在所述氧化铟锡层和所述金属层之间的金属氧化物粘着层；
所述金属氧化物粘着层与所述金属层之间设置第一金属保护层，所述金属层上设置第二金属保护层；
其中，所述金属氧化物粘着层的材料为钼铌氧化物，厚度为10～20纳米；所述金属层的材料为铝钕合金，厚度为270～330纳米。
2.根据权利要求1所述电极结构，其特征在于，所述第一金属保护层的材料为钼铌合金，厚度为20～50纳米；所述第二金属保护层的材料为钼铌合金，厚度为30～70纳米。
3.根据权利要求1所述电极结构，其特征在于，所述金属氧化物粘着层的直流磁控溅射成膜条件为真空度4×10-5帕以下，氩气体中加入5～20％的氧气，压力0.2～1帕，靶材为钼铌合金(铌占合金比重10％)，电压0.5～3千瓦；所述第一金属保护层的直流磁控溅射成膜条件为真空度4×10-5帕以下，压力0.2～1帕，靶材为钼铌合金(铌占合金比重10％)、电压1～5千瓦；所述金属层的直流磁控溅射成膜条件为真空度4×10-5帕以下，压力0.2～1帕，靶材为铝钕合金(钕占合金比重1％)，电压1.5～10千瓦；所述第二金属保护层的直流磁控溅射成膜条件为真空度4×10-5帕以下，压力0.2～1帕，靶材为钼铌合金(铌占合金比重10％)，电压1.5～8千瓦。
4.一种电极结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上设置氧化铟锡层；
在所述氧化铟锡层上设置金属氧化物粘着层；及
在所述金属氧化物粘着层上设置金属层；
在所述金属氧化物粘着层与所述金属层之间设置第一金属保护层，所述金属层上设置第二金属保护层；
其中，所述金属氧化物粘着层的材料为钼铌氧化物，厚度为10～20纳米；所述金属层的材料为铝钕合金，厚度为270～330纳米。
5.根据权利要求4所述电极结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属保护层的材料为钼铌合金，厚度为20～50纳米；所述第二金属保护层的材料为钼铌合金，厚度为30～70纳米。
6.根据权利要求4所述电极结构的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物粘着层在真空度4×10-5帕以下，氩气体中加入5～20％的氧气，压力0.2～1帕，靶材为钼铌合金(铌占合金比重10％)，电压0.5～3千瓦，直流磁控溅射成膜；所述第一金属保护层在真空度4×10-5帕以下，压力0.2～1帕，靶材为钼铌合金(铌占合金比重10％)、电压1～5千瓦，直流磁控溅射成膜；所述金属层在真空度4×10-5帕以下，压力0.2～1帕，靶材为铝钕合金(钕占合金比重1％)，电压1.5～10千瓦，直流磁控溅射成膜；所述第二金属保护层在真空度4×10-5帕以下，压力0.2～1帕，靶材为钼铌合金(铌占合金比重10％)，电压1.5～8千瓦，直流磁控溅射成膜。
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