[发明专利]晶圆顶层氧化层处理方法在审
| 申请号： | 201810120437.7 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108417476A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 徐云;吴苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 留边区域 氧化层 负胶 晶圆 圆顶 顶层氧化层 晶圆边界 曝光处理 曝光区域 曝光 淀积物 显影液 焊盘 刻蚀 难溶 探针 种晶 遮盖 保留 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆顶层氧化层处理方法，其特征在于：在晶圆完成顶层氧化层工艺之后，采用负胶工艺进行曝光，并对留边区域进行WEE晶圆边界曝光处理。
2.如权利要求1所述的晶圆顶层氧化层处理方法，其特征在于：所述留边区域为从晶圆最外沿沿半径方向往圆心取3～5mm的范围。
3.如权利要求1所述的晶圆顶层氧化层处理方法，其特征在于：采用负胶工艺，在晶圆边界曝光处理后晶圆外缘的负胶曝光区域难溶于显影液。
4.如权利要求3所述的晶圆顶层氧化层处理方法，其特征在于：负胶工艺保留的淀积物能遮盖住晶圆留边区域，避免探针与留边区域的焊盘或者图案接触。
5.如权利要求1所述的晶圆顶层氧化层处理方法，其特征在于：在进行晶圆边界曝光处理的内部布局布线设计时，由于采用负胶工艺，整个芯片的布局布线设计要进行取反处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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