[发明专利]像素结构

说明书

一种像素结构，具有至少一子像素。子像素包括基板、第一微型发光元件、修补用微型发光元件、第一连接线、第二连接线以及桥接图案。第一微型发光元件设置于基板上。修补用微型发光元件设置于第一微型发光元件上，且与第一微型发光元件于垂直基板方向上部分重叠。第一连接线电性连接于第一微型发光元件的第一电极与修补用微型发光元件的第三半导体层。第二连接线电性连接于第一微型发光元件的第二电极。桥接图案位于第一微型发光元件与修补用微型发光元件之间，且电性连接第二电极与修补用微型发光元件的第四半导体层。

技术领域

本发明系关于一种子像素的修补技术，特别是一种像素结构。

背景技术

发光元件，因其具有高光电转换效率与寿命长等优点，已经广泛的应用于显示面板。一般而言，发光元件系设置于子像素内。然而，当发光元件损坏或脱落时，就无法发光而使得显示面板产生暗点。再者，显示面板重工(rework)不易且制程繁琐，目前业界仍在努力改善的方向之一。

发明内容

本发明一实施例提出一种像素结构，其包括基板、至少一个驱动元件、第一微型发光元件、修补用微型发光元件、第一连接线、第二连接线、绝缘层以及桥接图案。切换元件设置于基板上。第一微型发光元件设置于基板上且电性连接于切换元件。第一微型发光元件包含第一半导体层、第二半导体层、第一电极与第二电极。第一半导体层的掺杂型不同于第二半导体层的掺杂型。第一电极电性连接第一半导体层，且第二电极电性连接第二半导体层。修补用微型发光元件设置于第一微型发光元件上，且与第一微型发光元件于垂直基板方向上部分重叠，修补用微型发光元件包含第三半导体层与第四半导体层，且第三半导体层的掺杂型不同于第四半导体层的掺杂型。第一连接线电性连接于第一微型发光元件的第一电极与修补用微型发光元件的第三半导体层，且第一连接线与驱动元件电性连接。第二连接线电性连接于第一微型发光元件的第二电极。绝缘层设置于第一微型发光元件上且部分覆盖第一微型发光元件，其中，绝缘层具有第一开口与第二开口，且第一开口与第一连接线部分重叠，第二开口与第二连接线部分重叠。桥接图案位于第一微型发光元件与修补用微型发光元件之间，且电性连接第二电极与修补用微型发光元件的第四半导体层。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为一对比例之像素结构的俯视图。

图2为对应于图1之像素结构之子像素的等效电路图。

图3为对应于图2之A-A′剖线之一对比例的子像素截面示意图。

图4为本发明之第一实施例之像素结构的俯视图。

图5为对应于图4之像素结构之其中一子像素的等效电路图。

图6为对应于图4之B-B′剖线之一示范例之其中一子像素截面示意图。

图7为对应于图4之B-B′剖线之另一示范例的子像素的截面示意图。

图8为对应于图4之B-B′剖线之又一示范例的子像素的截面示意图。

图9为对应于图4之B-B′剖线之又一示范例的子像素的截面示意图。

图10为对应于图4之B-B′剖线之再一示范例的子像素的截面示意图。

图11为本发明之第二实施例的像素结构的俯视图。

图12为对应于图11之C-C′剖线之一示范例的像素结构的截面示意图。

图13为对应于图12之的像素结构的等效电路图。

其中，附图标记：

100、100’像素结构 110微型发光元件