[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，具有至少一子像素，该至少一子像素包含：

一基板；

至少一个驱动元件，设置于该基板上；

一第一微型发光元件，设置于该基板上且电性连接于该驱动元件，该第一微型发光元件包含一第一半导体层、一第二半导体层、一第一电极与一第二电极，该第一半导体层的掺杂型不同于该第二半导体层的掺杂型，且该第一电极电性连接该第一半导体层，该第二电极电性连接该第二半导体层；

一修补用微型发光元件，设置于该第一微型发光元件上，且与该第一微型发光元件于垂直该基板方向上部分重叠，该修补用微型发光元件包含一第三半导体层与一第四半导体层，该第三半导体层的掺杂型不同于该第四半导体层的掺杂型；

一第一连接线，电性连接于该第一微型发光元件的该第一电极与该修补用微型发光元件的该第三半导体层，且该第一连接线与该驱动元件电性连接；

一第二连接线，电性连接于该第一微型发光元件的该第二电极；

一绝缘层，设置于该第一微型发光元件上，且部分覆盖该第一微型发光元件，其中，该绝缘层具有一第一开口与一第二开口，且该第一开口与该第一连接线部分重叠，该第二开口与该第二连接线部分重叠；以及

一桥接图案，位于该第一微型发光元件与该修补用微型发光元件之间，且电性连接该第二电极与该修补用微型发光元件的该第四半导体层。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该修补用微型发光元件更包括一第三电极以及一第四电极，该第三电极位于该第一连接线与该第三半导体层之间，该第四电极位于该第二连接线与该第四半导体层之间。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含一第二微型发光元件，该第二微型发光元件包含一另一第一半导体层、一另一第二半导体层、一另一第一电极与一另一第二电极，该另一第一半导体层的掺杂型不同于该另一第二半导体层的掺杂型，且该另一第一电极电性连接该另一第一半导体层，该另一第二电极电性连接该另一第二半导体层，且该第一连接线电性连接该另一第一电极。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第三半导体层向该第一微型发光元件方向延伸。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，其中该第三半导体层位于该第一半导体层上，该第一半导体层的垂直投影范围与该第三半导体层的垂直投影范围重叠，且该第二半导体层的垂直投影范围与该第四半导体层的垂直投影范围重叠。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第一半导体层的垂直投影范围与该第三半导体层的垂直投影范围不重叠，且该第二半导体层的垂直投影范围小于该第四半导体层的垂直投影范围。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该第四半导体层于一第一方向的宽度大于该第二半导体层的宽度。

8.如权利要求6或7所述的像素结构，其特征在于，更包括另一桥接图案，设置于该第一连接线与该第三半导体层之间。

9.如权利要求4-7任一项所述的像素结构，其特征在于，其中该桥接图案包括一导电电极，该导电电极的一端贴合该第四半导体层，且该导电电极的另一端贴合该第二连接线。

10.如权利要求4-7任一项所述的像素结构，其特征在于，其中该桥接图案更包括一导电电极、另一第三半导体层及至少一导电柱，该导电电极位于该第二连接线与该另一第三半导体层之间、该另一第三半导体层位于该导电电极与该第四半导体层之间，各该导电柱贯穿该另一第三半导体层，各该导电柱的一端与该导电电极耦接，且各该导电柱的另一端与该第四半导体层耦接。

11.如权利要求10所述的像素结构，其特征在于，其中该桥接图案更包括一绝缘图案，该绝缘图案电性隔离各该导电柱与该另一第三半导体层。