[发明专利]成像器件、摄像头模组及制造方法在审
申请号: | 201810113956.0 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN110120397A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 王晓川 | 申请(专利权)人: | 上海珏芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王仙子 |
地址: | 201204 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 成像器件 感光面 感光区 过渡区 输入输出接线板 图像传感器芯片 摄像头模组 选择性滤光 输出接线 外围 覆盖板 感光 环绕 成像功能 密闭空腔 外引导线 芯片底面 接合 围墙体 异物 微尘 制造 延伸 | ||
一种成像器件、摄像头模组及制造方法,成像器件包括:图像传感器芯片(100),包括芯片感光面(101)和与芯片感光面(101)相对的芯片底面(102),芯片感光面(101)包括芯片感光区(110)、环绕芯片感光区的外围过渡区(120)和环绕外围过渡区(120)的输入输出接线区(130),输入输出接线区(130)内设有至少一个输入输出接线板(131);选择性滤光覆盖板(210),设于芯片感光区(110)上方;围墙体(220),设于外围过渡区(120)内,且与选择性滤光覆盖板(210)接合形成密闭空腔(230);芯片外引导线(250),一端与输入输出接线板(131)连接,另一端延伸至图像传感器芯片(100)之外。成像器件能够防止微尘或其他异物落入芯片感光区内影响其感光和成像功能。
技术领域
本发明涉及半导体器件领域,特别涉及一种成像器件、摄像头模组及制造方法。
背景技术
与CCD摄像头模组相比,CMOS摄像头模组(CMOS Camera Module,CCM)具有体积小、耗电量低等优点。如今,高性能、微型化的CMOS摄像头模组以及相应的图像处理功能已经成为智能手机必备。此外,用于智能识别功能的手机三维成像摄像头也已经进入商业化应用。这些微型化的CMOS摄像头模组的分辨率进一步提高,结合更微型化的CMOS摄像头模组微系统封装,成为智能手机进一步走向轻薄化的必备条件。
目前,由高像素CMOS图像传感器芯片构成的CMOS摄像头模组通常都是以板上芯片封装(Chip on board,COB)工艺为基础进行组装。现有CMOS摄像头模组的组装流程如图1所示,其主要包括以下步骤:
CT1:将CMOS图像传感器芯片晶圆切割成为多个分离的CMOS图像传感器芯片;
CT2:将单个CMOS图像传感器芯片以及附属器件粘附在基板上;其中基板可以是多层印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)或柔性印刷电路板(Flexible PrintedCircuitry,FPC);
CT3:通过引线键合(wire bonding)形成CMOS图像传感器芯片、附属器件以及基板的互连;
CT4:将预制的模组镜座及镜头组件置于CMOS图像传感器芯片顶端并胶封在基板上;其中,模组镜座及镜头组件从上到下包含有由2个以上独立镜头组成的镜头组、微型对焦马达和红外线滤光片。
需要指出的是,作为核心器件的CMOS图像传感器芯片表面含有最为敏感的芯片感光区,在板上芯片封装以及随后的模组组装过程中的每一步(CT1、CT2、CT3和CT4)以及各步骤之间的过程,微尘埃或其他异物落入并遗留在芯片感光区内都会严重影响其感光和成像功能,成为基于板上芯片封装的CMOS摄像头模组组装批量生产中成品率降低的重要因素。然而,由于CMOS成像传感器的感光区顶部均含有色彩微滤镜阵列以及置备于其上的微透镜阵列,色彩微滤镜阵列和微透镜阵列均由聚合物构成,因此不易采用传统的封装清洗方法来去除遗落和残存的微尘埃或其他异物。因此,一旦在整个板上芯片封装以及随后的模组组装过程中有微尘埃或其他异物遗落在CMOS图像传感器芯片的芯片感光区上,将严重影响整个CMOS摄像头模组加工成品率。
发明内容
本发明的目的是提供一种成像器件及其制造方法,以克服现有技术在成像器件制造过程中由于残存微尘等异物而导致的成品率低的问题。
本发明提出了一种成像器件,包括:
图像传感器芯片,所述图像传感器芯片包括芯片感光面和与所述芯片感光面相对的芯片底面,所述芯片感光面包括芯片感光区、环绕所述芯片感光区的外围过渡区和环绕所述外围过渡区的输入输出接线区,所述输入输出接线区内设有至少一个输入输出接线板;
选择性滤光覆盖板,所述选择性滤光覆盖板设于所述芯片感光区上方;
围墙体,所述围墙体设于所述外围过渡区内,且与所述选择性滤光覆盖板接合形成密闭空腔;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的