[发明专利]成像器件、摄像头模组及制造方法在审
| 申请号: | 201810113956.0 | 申请日: | 2018-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN110120397A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 王晓川 | 申请(专利权)人: | 上海珏芯光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王仙子 |
| 地址: | 201204 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 成像器件 感光面 感光区 过渡区 输入输出接线板 图像传感器芯片 摄像头模组 选择性滤光 输出接线 外围 覆盖板 感光 环绕 成像功能 密闭空腔 外引导线 芯片底面 接合 围墙体 异物 微尘 制造 延伸 | ||
1.一种成像器件,其特征在于,包括:
图像传感器芯片(100),所述图像传感器芯片(100)包括芯片感光面(101)和与所述芯片感光面(101)相对的芯片底面(102),所述芯片感光面(101)包括芯片感光区(110)、环绕所述芯片感光区的外围过渡区(120)和环绕所述外围过渡区(120)的输入输出接线区(130),所述输入输出接线区(130)内设有至少一个输入输出接线板(131);
选择性滤光覆盖板(210),所述选择性滤光覆盖板(210)设于所述芯片感光区(110)上方;
围墙体(220),所述围墙体(220)设于所述外围过渡区(120)内,且与所述选择性滤光覆盖板(210)接合形成密闭空腔(230);
芯片外引导线(250),所述芯片外引导线(250)的一端与所述输入输出接线板(131)连接,另一端延伸至所述图像传感器芯片(100)之外。
2.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述图像传感器芯片(100)是CMOS图像传感器芯片。
3.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述选择性滤光覆盖板(210)用于阻挡或吸收外部辐射的部分或全部红外波段辐射进入所述芯片感光区(110),且允许部分或全部可见光波段辐射进入所述芯片感光区(110)。
4.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述围墙体(220)选择性地阻挡或吸收外部辐射的部分或全部红外波段辐射。
5.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述选择性滤光覆盖板(210)的表面上设有针对可见光波段辐射的增透膜。
6.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述选择性滤光覆盖板(210)能够对可见光波段辐射进行折射。
7.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述芯片感光区(110)的表面设有色彩滤镜阵列(111)。
8.根据权利要求7所述的成像器件,其特征在于,所述色彩滤镜阵列(111)包括多个原色滤镜单元(112),所述原色滤镜单元(112)为红、绿、蓝原色滤镜单元或品红、黄、青原色滤镜单元。
9.根据权利要求7所述的成像器件,其特征在于,所述色彩滤镜阵列(111)由聚合物材料染色形成。
10.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,所述芯片感光区(110)的表面设有微透镜阵列(115),所述微透镜阵列(115)包括多个微聚焦透镜(116)。
11.根据权利要求10所述的成像器件,其特征在于,所述微聚焦透镜(116)由聚合物形成。
12.根据权利要求1所述的成像器件,其特征在于,还包括载板(300)和辅助器件(410),所述图像传感器芯片(100)的芯片底面(102)粘附于所述载板(300)上,所述辅助器件(410)的顶部设有顶部接线板(411),底部粘附于所述载板(300)上。
13.根据权利要求12所述的成像器件,其特征在于,所述载板(300)上设有多个承接板接线垫(310),所述芯片外引导线(250)的引出端与所述多个承接板接线垫(310)之一连接,所述辅助器件(410)的顶部接线板(411)通过引线与所述多个承接板接线垫(310)中的另一个承接板接线垫连接。
14.根据权利要求12所述的成像器件,其特征在于,所述芯片外引导线(250)的引出端与所述辅助器件(410)的顶部接线板(411)连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





