[发明专利]存储装置

说明书

实施方式提供一种能够容易地形成存储器孔，能够使制造良率提高的存储装置。存储装置具备：导电层；第1电极层，设置在导电层上；第2电极层，设置在导电层与第1电极层间，包含与第1电极层不同的材料；半导体柱，在从导电层朝向第1电极层的第1方向上贯穿第1及第2电极层地延伸，具有连接在导电层的端部；第1绝缘膜，包含位于半导体柱与第1电极层间、及半导体柱与第2电极层间、及半导体柱与导电层间的部分，沿半导体柱在第1方向上延伸；第2绝缘膜，设置在导电层与第1绝缘膜间；及第3绝缘膜，设置在第1绝缘膜与第2电极层间。所述第2、第3绝缘膜、第2电极层及导电层包含第1元素，第2及第3绝缘膜包含第1元素的氧化物或氮化物。

[相关申请案]

本申请享有以日本专利申请2017-173246号(申请日：2017年9月8日)为基础申请的优先权。本申请是通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

包含三维配置的存储单元的存储装置的开发不断进展。例如，在NAND(Not-And，与非)型存储装置中，具有积层着多个电极层的构造，存储单元设置在将多个电极层在其积层方向上贯穿的存储器孔与各电极层交叉的部分。为了使这种存储装置的存储容量变大，优选使电极层的积层数变大。然而，随着电极层的积层数变大，而变得难以形成存储器孔。

发明内容

实施方式提供一种能够容易地形成存储器孔且能够使制造良率提高的存储装置。

实施方式的存储装置具备：导电层；第1电极层，设置在所述导电层上；第2电极层，设置在所述导电层与所述第1电极层之间，且包含与所述第1电极层不同的材料；半导体柱，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上贯穿所述第1电极层及所述第2电极层地延伸，且具有连接在所述导电层的端部；第1绝缘膜，包含位于所述半导体柱与所述第1电极层之间、及所述半导体柱与所述第2电极层之间、及所述半导体柱与所述导电层之间的部分，且沿所述半导体柱在所述第1方向上延伸；第2绝缘膜，设置在所述导电层与所述第1绝缘膜之间；及第3绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜与所述第2电极层之间。所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第2电极层及所述导电层包含第1元素，所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜包含所述第1元素的氧化物或氮化物。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图2是表示第1实施方式的存储装置的一部分的示意性剖视图。

图3(a)～(c)、图4(a)及(b)、图5(a)及(b)、图6(a)及(b)、图7(a)及(b)是表示第1实施方式的存储装置的制造过程的示意性剖视图。

图8(a)及(b)是表示比较例的存储装置的制造过程的示意性剖视图。

图9是表示第1实施方式的变化例的存储装置的示意性剖视图。

图10是表示第2实施方式的存储装置的示意性剖视图。

图11(a)及(b)、图12(a)及(b)、图13、图14(a)及(b)、图15(a)及(b)、图16(a)及(b)是表示第2实施方式的存储装置的制造过程的示意性剖视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对实施方式进行说明。对附图中的相同的部分标注相同的编号而适当省略其详细的说明，并针对不同的部分进行说明。此外，附图是示意性或概念性图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与实物相同。另外，即便在表示相同的部分的情况下，有时也根据附图而使相互的尺寸或比率不同地表示。