[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于具备：

导电层；

第1电极层，设置在所述导电层上；

第2电极层，设置在所述导电层与所述第1电极层之间，且包含与所述第1电极层不同的材料；

半导体柱，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上贯穿所述第1电极层及所述第2电极层地延伸，且具有连接在所述导电层的端部；

第1绝缘膜，包含位于所述半导体柱与所述第1电极层之间、及所述半导体柱与所述第2电极层之间、及所述半导体柱与所述导电层之间的部分，且沿所述半导体柱在所述第1方向上延伸；

第2绝缘膜，设置在所述导电层与所述第1绝缘膜之间；及

第3绝缘膜，设置在所述第1绝缘膜与所述第2电极层之间；

所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第2电极层及所述导电层包含第1元素，

所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜包含所述第1元素的氧化物或氮化物。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于还具备第1层间绝缘膜，所述第1层间绝缘膜设置在所述导电层与所述第2电极层之间，且与所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜相接；

所述第1层间绝缘膜在与所述第2绝缘膜相接的部分，具有位于比所述第2绝缘膜的外缘更靠内侧且与所述第1绝缘膜相接的端面。

3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于还具备第2层间绝缘膜，所述第2层间绝缘膜设置在所述第1电极层与所述第2电极层之间，且与所述第1绝缘膜及所述第3绝缘膜相接，

所述第2层间绝缘膜在与所述第3绝缘膜相接的部分，具有位于比所述第3绝缘膜的外缘更靠内侧且与所述第1绝缘膜相接的端面。

4.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于，

所述导电层及所述第2电极层包含多晶硅。

5.一种存储装置，其特征在于具备：

导电层；

多个电极层，积层在所述导电层上；

半导体柱，在所述电极层的积层方向上贯穿所述多个电极层地延伸，且具有连接在所述导电层的端部；

第1绝缘膜，包含位于所述半导体柱与所述多个电极层之间、及所述半导体柱与所述导电层之间的部分，且沿所述半导体柱在所述积层方向上延伸；及

第2绝缘膜，设置在所述导电层与所述第1绝缘膜之间；

所述第2绝缘膜及所述导电层包含第1元素，

所述第2绝缘膜包含所述第1元素的氧化物或氮化物。