[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201810113344.1 | 申请日: | 2018-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN109243999B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
| 发明(设计)人: | 方仁广;吕文隆 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置封装,其包括:
电子组件;
第一组导电线,其电连接到所述电子组件;
绝缘层,其具有一顶部表面且环绕所述第一组导电线,所述绝缘层的所述顶部表面暴露所述第一组导电线的部分,所述绝缘层直接接触所述电子组件;
第二组导电线,其安置在所述绝缘层上且电连接到所述第一组导电线的所述暴露部分;及
囊封物,其囊封所述电子组件和所述绝缘层,所述囊封物囊封且直接接触所述第二组导电线;
其中所述第一组导电线和所述第二组导电线是结合线;且
其中所述绝缘层缺少填料。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括安置在所述绝缘层上方且包含多个导电垫的第一图案化导电层,其中所述第一图案化导电层的所述导电垫分别电连接到所述第一组导电线的所述暴露部分。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中
所述电子组件包括电连接到所述第一组导电线的多个导电触点;且
所述电子组件的至少两个邻近导电触点之间的间距小于所述第一图案化导电层的至少两个邻近导电垫之间的间距。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述囊封物覆盖所述电子组件、所述绝缘层及所述第二组导电线。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二组导电线中的至少一者的宽度大于所述第一组导电线中的至少一者的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中
所述绝缘层的所述顶部表面邻近所述电子组件的有源侧;
所述绝缘层进一步包含邻近于所述电子组件的背侧的底部表面;且
所述顶部表面的宽度小于所述底部表面的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述绝缘层是单一同质绝缘层。
8.根据权利要求1所述的半导体装置封装,进一步包括第二电子组件,其中所述第二组导电线电连接到和接触安置在所述绝缘层上的导电垫,所述导电垫从绝缘层的所述顶部表面被暴露,所述电子组件的底部表面与所述第二电子组件的底部表面对齐,所述第二组导电线中的至少一者电连接到第二电子组件的有源侧。
9.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述导电垫被囊封物囊封且接触所述第一组导电线的暴露部分。
10.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述第二电子组件的所述底部表面暴露至空气中。
11.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述第二组导电线中的所述至少一者不从所述囊封物被暴露。
12.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第二组导电线不接触所述绝缘层。
13.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述囊封物具有一顶部表面及底部表面,其中所述囊封物的所述顶部表面暴露所述第二组导电线中不同于所述至少一者的另一者的部分。
14.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述囊封物的底部表面暴露至空气中。
15.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述电子组件具有有源侧与有源侧相对的背表面,其中所述电子组件的所述背表面暴露至空气中,其中所述绝缘层的底部表面暴露至空气中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810113344.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





