[发明专利]一种光刻方法及光刻机在审
申请号: | 201810099833.6 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108363273A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 龙海凤;李天慧;藤井光一 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻机 光阑 光叠加 光刻 光源 过滤 挡板 光刻图案 光刻图形 光学元件 投影透镜 透光区域 依次设置 均匀性 掩膜版 光路 叠加 保留 保证 | ||
一种光刻机及光刻方法,包括沿光路依次设置的光源、挡板、光阑、光学元件、掩膜版、投影透镜和基片;所述光阑包括透光区域;所述光阑用于过滤所述光源的光,使得0级光与1级光叠加的部分通过。上述方案的光刻机保留0级光与1级光叠加的部分,过滤掉0级光与1级光的未叠加部分,进而保证光刻图形的均匀性,提高光刻图案对比度,从而提高光刻机的性能。
技术领域
本发明实施例涉及光刻领域,尤其涉及一种光刻方法及光刻机。
背景技术
目前使用的光刻机,光的照明方式为同轴照明方式。为了减小工艺线宽,会尽量减小所用光的波长。但是,光波长太小时,会产生衍射现象,降低光刻图案的对比度。因此,出现了离轴照明方式。
离轴照明在不改变光源波长的情况下,具有更小的线宽和更大的焦深。但是离轴照明用于光刻的光中必须包括不同等级的光,如果只有一个等级的光,则只能获得光的强度的信息,而不能获得光的图像信息。因此,离轴照明方式用于光刻的光会使用0级光和1级光。然而,离轴照明方式中0级光与1级光既有相互叠加的部分,也有不叠加的部分,进而导致光的强度分布不均,产生图案对比度下降的问题,特别是对于密集图形的图案对比度影响严重。
因此需要一种新的光刻方法解决光刻密集图形的图案对比度低的问题。
发明内容
本发明实施例解决的问题是光刻密集图形的图案对比度低的问题。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种光刻机,包括沿光路依次的光源、挡板、光阑、光学元件、掩膜版、投影透镜和基片;所述光阑包括透光区域;所述光阑用于过滤所述光源的光,使得0级光与1级光叠加的部分通过。
可选的,所述光阑的透光区域与所述掩膜版的图案有关。
可选的,所述光阑的透光区域与掩膜版的图案的线条间隔有关。
可选的,所述叠加部分的形状为椭圆形。
可选的,所述叠加部分的短轴的长度L满足如下公式:L=λ/P;其中λ为所述光源的光波长,P为所述掩膜版的图案的线条周期。
可选的,所述叠加部分位于所述光刻机的投影透镜的搜集区域内。
可选的,所述光刻机的照明方式为离轴照明或在轴照明。
可选的,所述叠加部分的形状为圆形、扇形或环形。
本发明还提供了一种光刻方法,包括:发射光;使用光阑过滤所述光,聚焦过滤后的光至掩膜版;其中,所述光阑包括透光区域;所述光阑用于过滤所述光的光,使得0级光与1级光叠加的部分通过。
可选的,0级光与1级光的所述叠加部分满足公式:L=λ/P;其中L为所述叠加部分的短轴长度,λ为所述光的光波长,P为所述掩膜版的图案的线条周期。
与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下优点:
上述的方案中,所提供的光刻机保留0级光与1级光叠加后在干涉作用下光强增加的部分,过滤掉0级光与1级光未叠加的部分,避免未叠加的部分对光强的影响,进而保证光刻图形的均匀性,从而解决光刻密集图形的图案对比度低的问题,进而提高光刻机性能。
进一步,所述叠加部分与所述掩膜版的图案有关,则叠加部分的图案随掩膜版的图案而调整,叠加部分的光刻可以完整地覆盖掩膜版图案,保证了工艺所需的光强度的均匀,从而解决光刻图案对比度低的问题,进而提高光刻机性能。
附图说明
图1是现有光刻用光的形状示意图;
图2为现有技术中图像对比度的示意图;
图3是不同照明系统光源形状的示意图;
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