[发明专利]基板液处理装置有效
申请号: | 201810096859.5 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108376660B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 田中幸二;盐川俊行;山下浩司;益富裕之;小杉仁;稻田尊士;池田贵志;平山司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 | ||
本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72),该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有:主体部(71A、72A),其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口;以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D),其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时,飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
技术领域
本发明涉及使用处理液来对基板进行液处理的基板液处理装置。
背景技术
在半导体装置的制造工序中包括氮化硅膜蚀刻工序,在该氮化硅膜蚀刻工序中,半导体晶圆等基板浸渍于贮存在处理槽的磷酸水溶液中,对在基板的表面形成的氮化硅膜进行湿蚀刻。
这样的湿蚀刻所使用的液处理装置具有:内槽,其贮存处理液(磷酸水溶液);外槽,其接受从内槽溢流出来的处理液;以及循环管线和循环泵,其以使从外槽排出来的处理液返回内槽的方式使该处理液循环。
处于内槽内的磷酸水溶液被维持在沸腾状态。因此,由于沸腾而产生的气泡每次到达液面,都产生磷酸水溶液的飞沫,向内槽的周围飞散。若该飞沫向外槽的外侧飞散,则处理槽的周围的环境有可能被污染。
在专利文献1中记载有如下内容:为了防止磷酸水溶液的飞沫向处理槽的周围飞散,设置有仅在基板的输入和输出时打开的自动罩。然而,利用该自动罩无法充分地防止磷酸水溶液的飞沫向处理槽的周围飞散。
专利文献1:日本特开平9-181041号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有能够防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域的结构的基板液处理装置。
根据本发明的一实施方式,提供一种基板液处理装置,该基板液处理装置具备:内槽,其能够贮存处理液,该内槽具有上部开口;外槽,其设置于所述内槽的外侧;以及盖体,其能够在封闭所述内槽的上部开口的封闭位置与使所述内槽的上部开口开放的开放位置之间移动,所述盖体具有:主体部,其在所述盖体位于封闭位置时覆盖所述内槽的上部开口;以及飞沫遮蔽部,其连接到所述主体部,在所述盖体位于封闭位置时,所述飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的所述内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠所述外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
根据上述本发明的实施方式,能够防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。
附图说明
图1是表示基板液处理系统的整体结构的概略俯视图。
图2是表示装入到基板液处理系统的蚀刻装置的结构的系统图。
图3是处理槽的概略横断方向纵剖视图,是表示盖体位于封闭位置的状态的图。
图4是处理槽的概略横断方向纵剖视图,是表示盖体位于开放位置的状态的图。
图5是处理槽的概略长度方向纵剖视图。
图6是处理槽的概略俯视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810096859.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造