[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201810090437.7 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108573897B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 帆角良平;石井淳一;筱原敬 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,由具有刷体和喷雾嘴的基板处理装置执行,
所述刷体包括:
下表面,按压在被保持为水平的基板的上表面上,
中央开口,在所述下表面的中央部开口而成,
喷嘴插入孔,从所述中央开口向上方延伸;
所述喷雾嘴插入所述喷嘴插入孔,产生经由所述中央开口向所述基板的上表面飞散的多个液滴,
所述基板处理方法的特征在于,包括:
刷体落位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向下方移动至落位位置,来使所述刷体的下表面与所述基板的上表面接触,
擦洗清洗工序,一边使所述基板围绕从所述基板的中央部穿过的铅锤的旋转轴线旋转,一边使所述刷体以及喷雾嘴在与所述旋转轴线垂直的水平的径向上从所述落位位置移动至离位位置,由此使所述刷体的下表面沿着所述基板的上表面移动,
刷体离位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述离位位置移动至下侧非接触位置,来使所述刷体的下表面离开所述基板的上表面,
离位时喷洒工序,通过在所述刷体以及喷雾嘴位于所述下侧非接触位置的状态下使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,来使多个所述液滴与所述基板的上表面碰撞,然后,一边将与所述基板的上表面碰撞的多个所述液滴供给至所述刷体的下表面,一边将其从所述刷体的下表面与所述基板的上表面之间的间隙排出,
刷体上升工序,使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述下侧非接触位置移动至上侧非接触位置,以及
离位后喷洒工序,在所述刷体以及喷雾嘴位于所述上侧非接触位置的状态下,使所述喷雾嘴产生多个所述液滴。
2.一种基板处理方法,由具有刷体和喷雾嘴的基板处理装置执行,
所述刷体包括:
下表面,按压在被保持为水平的基板的上表面上,
中央开口,在所述下表面的中央部开口而成,
喷嘴插入孔,从所述中央开口向上方延伸;
所述喷雾嘴插入所述喷嘴插入孔,产生经由所述中央开口向所述基板的上表面飞散的多个液滴,
所述基板处理方法的特征在于,包括:
刷体落位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向下方移动至落位位置,来使所述刷体的下表面与所述基板的上表面接触,
擦洗清洗工序,一边使所述基板围绕从所述基板的中央部穿过的铅锤的旋转轴线旋转,一边使所述刷体以及喷雾嘴在与所述旋转轴线垂直的水平的径向上从所述落位位置移动至离位位置,由此使所述刷体的下表面沿着所述基板的上表面移动,
刷体离位工序,通过使所述刷体以及喷雾嘴向上方从所述离位位置移动至下侧非接触位置,来使所述刷体的下表面离开所述基板的上表面,以及
离位时喷洒工序,通过在所述刷体以及喷雾嘴位于所述下侧非接触位置的状态下使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,来使多个所述液滴与所述基板的上表面碰撞,然后,一边将与所述基板的上表面碰撞的多个所述液滴供给至所述刷体的下表面,一边将其从所述刷体的下表面与所述基板的上表面之间的间隙排出;
所述擦洗清洗工序包括喷洒停止中擦洗清洗工序,在所述喷洒停止中擦洗清洗工序中,一边在从所述落位位置至所述离位位置为止的范围内的至少一部分范围内使所述喷雾嘴停止产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
所述离位时喷洒工序包括离位前喷洒开始工序,在所述离位前喷洒开始工序中,在所述刷体以及喷雾嘴从所述离位位置向上方移动前,使所述喷雾嘴开始产生多个所述液滴。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括移动喷洒工序,在所述移动喷洒工序中,在离位区域的上方,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上移动,
所述离位区域是指,在所述基板的上表面内,所述刷体的下表面从所述基板的上表面向上方离开的区域。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括落位时喷洒工序,在所述落位时喷洒工序中,一边使所述喷雾嘴产生多个所述液滴,一边使所述刷体以及喷雾嘴在所述径向上从所述落位位置向所述离位位置移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造