[发明专利]加热装置和基板处理装置

说明书

本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲线一致。因此，在各被加热区域中，温度推移曲线一致，在晶圆(W)的面内以及加热模块(2)之间升温过度期内的累积热量一致，因此晶圆(W)的图案的线宽一致。因而，无论是在晶圆(W)的面内，还是在被互不相同的加热模块(2)进行处理后的晶圆(W)之间，都能够进行均匀性良好的加热处理。

技术领域

本发明涉及一种将基板载置于载置台来进行加热的技术。

背景技术

在半导体制造工艺中，在半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板上形成涂敷膜之后，将基板载置于设置有加热器的载置台来对该基板进行加热处理。作为加热处理，能够例举在曝光前后对形成于基板的抗蚀膜以例如100℃左右的温度进行的处理。抗蚀图案的线宽受各种因素影响，但作为该因素之一，能够例举加热处理时的加热温度。

而且，由于具有药液的热处理温度依赖性变高的倾向，因此加热处理时的晶圆的热历史记录中的晶圆的面内之间的差以及晶圆之间(面之间)的差对抗蚀图案的线宽内的晶圆的面内均匀性和晶圆之间均匀性产生的影响变大。

进行加热处理的加热模块构成为，将晶圆的被加热区域分割为多个区域，针对各分割区域设置加热器，来独立地对各加热器进行发热控制。作为加热器的控制系统的参数的调整方法，已知如下一种方法：如专利文献1所记载的那样进行控制，使得在多个测量点测量载置台(热板)的温度时的各测量温度与各目标温度一致。

另外，晶圆被载置在加热温度稳定的热板后，升温至目标温度。然而，在目标温度相等时，在晶圆的每个被加热区域中温度达到目标温度为止的温度推移的曲线也有时彼此发生偏移而不一致。因此，存在如下问题：在各被加热区域中升温至达到目标温度为止时的累积热量不同，在每个加热模块或晶圆的面内，图案的线宽不一致。

专利文献1：日本专利第4391518号

发明内容

发明要解决的问题

本发明是基于这样的情形而完成的，其目的在于提供一种无论是在基板的面内还是在基板之间都能够进行均匀性良好的加热处理的技术。

用于解决问题的方案

本发明的加热装置将基板载置于载置台来进行加热，所述加热装置的特征在于，具备：多个加热器，其被设置于所述载置台，所述多个加热器的发热量被彼此独立地控制；温度检测部，其检测由各加热器加热的被加热区域的温度；以及温度控制部，其按各加热器设置所述温度控制部，其中，所述温度控制部具备：调节部，其运算设定温度与所述温度检测部的检测温度之间的偏差，并输出对加热器的供给电力的控制信号；加法部，其将作为工艺温度的目标温度与校正值相加来得到所述设定温度；以及校正值输出部，其输出所述校正值，其中，所述校正值输出部构成为，输出规定了各经过时间的校正值的时间序列数据，使得在基板的温度推移曲线中的在向基板的工艺温度升温的中途的预先决定的基准时间点处的温度变为基准温度，其中，所述基板的温度推移曲线是表示在加热器的发热量稳定的状态下将基板载置于载置台后所述经过时间与温度之间的关系的曲线。