[发明专利]测试装置、测试装置的制造方法以及测试方法

权利要求书

1.一种测试装置，其特征在于所述测试装置包括：

衬底，包含第一表面和第二表面；

像素传感器阵列，布置在所述衬底内且对通过所述衬底的第一表面入射的光敏感；

深沟槽隔离DTI结构，所述DTI结构设置在所述像素传感器阵列内的相邻的光电元件之间并且从所述衬底的第一表面处延伸至所述衬底内的位置；

不透光的遮蔽层，布置在所述衬底的第一表面上方并且覆盖所述像素传感器阵列中的一部分像素传感器内的光电元件。

2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于所述不透光的遮蔽层包括金属层以及在所述金属层上方的电介质层。

3.根据权利要求2所述的测试装置，其特征在于所述金属层由钨、铝或其组合中的至少一种形成。

4.根据权利要求2所述的测试装置，其特征在于所述金属层的厚度在100nm至300nm之间。

5.根据权利要求2所述的测试装置，其特征在于所述电介质层由二氧化硅、氮化硅或其组合中的至少一种形成。

6.根据权利要求2所述的测试装置，其特征在于所述电介质层的厚度在50nm至300nm之间。

7.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于所述像素传感器阵列中的每一个包括布置在所述衬底内的光电元件和布置在所述衬底的所述第二表面中或所述第二表面上的像素电路。

8.根据权利要求7所述的测试装置，其特征在于所述测试装置还包括：

后段制程BEOL金属化堆叠件，布置在所述衬底的所述第二表面上方且经耦合以将信号路由到所述像素电路或从所述像素电路路由信号。

9.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于所述不透光的遮蔽层还覆盖围绕所述一部分像素传感器的DTI结构。

10.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于所述测试装置还包括位于所述衬底与所述遮蔽层之间的抗反射层。

11.根据权利要求10所述的测试装置，其特征在于所述抗反射层由氮化硅、氧化钛或其组合中的至少一种形成。

12.根据权利要求10所述的测试装置，其特征在于所述抗反射层的厚度在30nm至100nm之间。

13.一种测试装置的制造方法，其特征在于所述制造方法包括：

提供包含第一表面和第二表面的衬底，其中所述衬底中形成有对通过所述衬底的第一表面入射的光敏感的像素传感器阵列，其中深沟槽隔离DTI结构设置在所述像素传感器阵列内的相邻的光电元件之间并且从所述衬底的第一表面处延伸至所述衬底内的位置；

在所述衬底的第一表面上方形成不透光的遮蔽层；

对所述遮蔽层进行图案化，使得图案化后的所述遮蔽层覆盖所述像素传感器阵列中的一部分像素传感器内的光电元件。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于对所述遮蔽层进行图案化的步骤包括将所述遮蔽层图案化以使得图案化后的所述遮蔽层还覆盖围绕所述一部分像素传感器的将所述像素传感器阵列内的像素传感器隔离开的隔离结构。

15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于在所述衬底的第一表面上方形成不透光的遮蔽层的步骤包括在所述衬底的第一表面上方形成金属层，然后在所述金属层的上方形成电介质层。

16.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于在所述衬底的第一表面上方形成不透光的遮蔽层的步骤之前在所述衬底的第一表面上方形成抗反射层。

17.一种测试方法，其特征在于所述方法包括：

在不被光照的情况下，测量使用权利要求14至16中任一项所述的方法制造的测试装置中的被遮蔽层遮蔽的像素传感器的第一输出；

用光照射所述测试装置，并测量被遮蔽层遮蔽的像素传感器的第二输出；以及

将所述第一输出与所述第二输出进行比较，以估计像素传感器阵列内的像素传感器之间的像素隔离。