[发明专利]片材刻蚀装置在审
| 申请号： | 201810085609.1 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108417509A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 孙红帅;严志峰;孙剑;高裕弟;葛亮 | 申请（专利权）人： | 九江维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 陈博旸 |
| 地址： | 332020 江西省九江市共青城市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 片材 喷淋组件 刻蚀装置 片材表面 输送组件 处理液 传统的 光滑 喷洒 浸渍 刻蚀效果 片材边缘 片材侧面 平面垂直 水池效应 图案边缘 显示设备 不均匀 锯齿形 刻蚀 排出 喷淋 垂直 制造 | ||
1.一种片材刻蚀装置，其特征在于，包括：
输送组件(1)，所述片材设置于所述输送组件上，其中所述片材所在的平面垂直于水平面；
喷淋组件(2)，设置于所述片材的至少一侧，其中所述喷淋组件(2)内设置有处理液。
2.根据权利要求1所述的片材刻蚀装置，其特征在于，所述输送组件(1)包括：
第一输送导轨(11)，安装于所述片材的第一侧边；
第二输送导轨(12)，安装于所述片材的第二侧边，所述第二侧边与所述第一侧边相对设置。
3.根据权利要求2所述的片材刻蚀装置，其特征在于，所述第一输送导轨(11)和所述第二输送导轨(12)连接设置。
4.根据权利要求2所述的片材刻蚀装置，其特征在于，所述输送组件(1)还包括：
驱动电机(13)，分别与所述第一输送导轨(11)和所述第二输送导轨(12)连接。
5.根据权利要求1所述的片材刻蚀装置，其特征在于，所述喷淋组件(2)的喷洒方向与所述片材所在平面垂直，喷液口与所述片材最接近的表面的垂直间距为5-10cm。
6.根据权利要求1所述的片材刻蚀装置，其特征在于，所述喷淋组件(2)包括：
若干喷嘴；
储液件(21)，与所述喷嘴连接，所述储液件(21)内设置有处理液；
泵送件(22)，分别与所述喷嘴和所述储液件(21)连接。
7.根据权利要求6所述的片材刻蚀装置，其特征在于，所述喷嘴为锥形或扇形。
8.根据权利要求6所述的片材刻蚀装置，其特征在于，还包括：
过滤件(3)，设置于所述片材的垂直下方，同时与所述储液件(21)连接。
9.根据权利要求1所述的片材刻蚀装置，其特征在于，还包括依次设置在输送组件(1)输送方向上的风帘风切单元(4)、酸洗风切单元(5)、蚀刻单元(6)、水洗单元(7)以及风刀吹干单元(8)。
10.根据权利要求9所述的片材刻蚀装置，其特征在于，所述风帘风切单元(4)、所述酸洗风切单元(5)、所述蚀刻单元(6)以及所述水洗单元(7)均设置于密封空间(9)内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于九江维信诺科技有限公司，未经九江维信诺科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810085609.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于半导体的微弧放电切割装置
- 下一篇：液体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
