[发明专利]基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法在审

申请号：	201810084226.2	申请日：	2018-01-29
公开（公告）号：	CN110098276A	公开（公告）日：	2019-08-06
发明（设计）人：	钟良兆;程丙勋	申请（专利权）人：	上海奕瑞光电子科技股份有限公司
主分类号：	H01L31/08	分类号：	H01L31/08;H01L31/18
代理公司：	上海光华专利事务所(普通合伙) 31219	代理人：	余明伟
地址：	201201 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	闪烁体薄膜透光防水薄膜窄边框平板探测器透明封装光接收器结构层闪烁体减小制备薄膜边缘表面设置残留气体防水效果基板边缘基板表面紧密贴合微米级别有效面积光损失疏水层鼓泡基板贴附封装老化闪烁
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【说明书】：

本发明提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法，基于窄边框透明封装的平板探测器包括：基板；闪烁体结构层，包括闪烁体薄膜及透光防水薄膜；闪烁体薄膜位于所述基板表面，透光防水薄膜贴附于闪烁体薄膜表面；光接收器，位于闪烁体结构层上。闪烁体薄膜与光接收器之间的间距较小，可以减小光损失；闪烁薄膜边缘至基板边缘的距离可以减小至微米级别，实现窄边框封装，进而增大闪烁体薄膜的有效面积；透光防水薄膜与闪烁体薄膜可以实现紧密贴合，避免透光防水薄膜与闪烁体薄膜之间残留气体，可以有效防止透光防水薄膜鼓泡及老化；通过在透光防水薄膜表面设置透光疏水层，可以进一步增强防水效果。

技术领域

本发明涉及平板探测器技术领域，特别是涉及一种基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法。

背景技术

在X射线平板探测器行业，一般采用TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)玻璃作为基板，封装层采用反射率较高的材料将闪烁体薄膜材料(如碘化铯，CsI)发出的光反射到所述TFT玻璃上用来增强所述TFT玻璃接收到的光强度。然而，如图1所示，对于采用不透明基板10及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)光接收器14的平板探测器中，闪烁体薄膜12则必须采用透明封装才可实现所述平板探测器的功能，一般如图2所示采用一封装层11将整个所述闪烁体薄膜12塑封，又所述闪烁体薄膜12极易受潮产生变质，对防水密封性能要求很高，这就要求封装层11必须有较高的光透过率及较低的水汽透过率；同时，封装层11还需使用密封胶13与基板10固定。然而，现有的上述平板探测器存在如下问题：1.所述封装层11厚度在100um～2mm级别，厚度大，光透过后损失率高；2.所述封装层11厚度大，所述闪烁体薄膜12与所述CMOS光接收器14之间的距离长，所述CMOS光接收器14接收到的光强度减弱；3.传统封装需要在所述不透明基板10边缘使用所述密封胶13而留出毫米级或厘米级的宽度，边框较大(即所述闪烁体薄膜12边缘至所述不透明基板10边缘的距离d1较大)；4.所述封装层11会使所述闪烁体薄膜12(特别是柱状微晶，如碘化铯)与所述封装层11之间存在大量空隙，空隙间存留气体，容易造成所述封装层11鼓泡、所述闪烁体薄膜12老化速度加快。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法，用于解决现有技术中的平板探测器存在的上述诸多问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于窄边框透明封装的平板探测器，所述基于窄边框透明封装的平板探测器包括：

基板；

闪烁体结构层，包括闪烁体薄膜及透光防水薄膜；其中，所述闪烁体薄膜位于所述基板表面，所述透光防水薄膜贴附于所述闪烁体薄膜表面；

光接收器，位于所述闪烁体结构层上。

优选地，所述基板为不透明基板。

优选地，所述闪烁体薄膜包括碘化铯薄膜，所述碘化铯薄膜由若干个微米尺寸的柱状晶体排列而成；所述透光防水薄膜贴附于所述柱状晶体表面及裸露的所述基板表面。

优选地，所述透光防水薄膜包括无机透光防水薄膜。

优选地，所述透光防水薄膜包括透明氧化铝薄膜或透明氧化硅薄膜。

优选地，所述透光防水薄膜的厚度介于1nm～95μm。

优选地，所述闪烁体薄膜边缘至所述基板边缘的距离小于100μm。