[发明专利]基于窄边框透明封装的平板探测器及其制备方法在审
| 申请号: | 201810084226.2 | 申请日: | 2018-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN110098276A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
| 发明(设计)人: | 钟良兆;程丙勋 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 闪烁体薄膜 透光 防水薄膜 窄边框 平板探测器 透明封装 光接收器 结构层 闪烁体 减小 制备 薄膜边缘 表面设置 残留气体 防水效果 基板边缘 基板表面 紧密贴合 微米级别 有效面积 光损失 疏水层 鼓泡 基板 贴附 封装 老化 闪烁 | ||
1.一种基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述基于窄边框透明封装的平板探测器包括:
基板;
闪烁体结构层,包括闪烁体薄膜及透光防水薄膜;其中,所述闪烁体薄膜位于所述基板表面,所述透光防水薄膜贴附于所述闪烁体薄膜表面;
光接收器,位于所述闪烁体结构层上。
2.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述基板为不透明基板。
3.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述闪烁体薄膜包括碘化铯薄膜,所述碘化铯薄膜由若干个微米尺寸的柱状晶体排列而成;所述透光防水薄膜贴附于所述柱状晶体表面及裸露的所述基板表面。
4.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述透光防水薄膜包括无机透光防水薄膜。
5.根据权利要求4所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述透光防水薄膜包括透明氧化铝薄膜或透明氧化硅薄膜。
6.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述透光防水薄膜的厚度介于1nm~95μm。
7.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述闪烁体薄膜边缘至所述基板边缘的距离小于100μm。
8.根据权利要求1所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述光接收器包括CMOS光接收器。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述闪烁体结构层还包括透光疏水层,所述透光疏水层贴附于所述透光防水薄膜表面。
10.根据权利要求9所述的基于窄边框透明封装的平板探测器,其特征在于,所述透光疏水层包括有机高分子透光疏水层。
11.一种基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法,其特征在于,所述基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法包括如下步骤:
1)提供一基板;
2)于所述基板表面形成闪烁体薄膜;
3)于所述闪烁体薄膜表面形成透光防水薄膜;
4)提供一光接收器,将所述光接收器封装于所述闪烁体薄膜及所述透光防水薄膜的上方。
12.根据权利要求11所述的基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法,其特征在于,步骤3)中,采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺于所述闪烁体薄膜表面形成所述透光防水薄膜。
13.根据权利要求11或12所述的基于窄边框透明封装的平板探测器的制备方法,其特征在于,步骤3)与步骤4)之间还包括于所述透光防水薄膜表面形成透光疏水层的步骤,步骤4)中,所述光接收器封装于所述闪烁体薄膜、所述透光防水薄膜及所述透光疏水层的上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





