[发明专利]衬底载体劣化检测及修复有效
申请号: | 201810084030.3 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN109712867B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 王仁地;林志威;黎辅宪;陈奕明;洪正和 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 载体 检测 修复 | ||
一种方法,包括接收在内部具有多个晶圆的载体;向载体的入口供应净化气体;从载体的出口抽出排出气体;以及在执行净化气体的供应和排出气体的抽出的同时生成载体的健康指示器。本发明的实施例还涉及衬底载体劣化检测及修复。
技术领域
本发明的实施例涉及衬底载体劣化检测及修复。
背景技术
在半导体制造中,晶圆经历许多处理步骤以在其上产生集成电路(“IC”)。这些处理步骤由多种多样不同的处理工具执行。当在处理工具中传递时,一个或多个晶圆在晶圆载体中承载以保护晶圆免受外部污染。此外,晶圆载体(内部具有晶圆)用惰性气体净化以移除晶圆上的任何化学残留物。另外,化学残留物可能不利地影响后续处理。
晶圆载体通常具有一个或多个空气过滤器。在反复净化晶圆载体之后,这些空气过滤器可能会劣化(例如,撕裂或堵塞)。如果劣化的空气过滤器没有及时更换,晶圆载体将不能有效净化,导致晶圆污染和制造缺陷。
发明内容
本发明的实施例提供了一种用于半导体制造的方法,包括:接收在内部具有多个晶圆的载体;向所述载体的入口供应净化气体;从所述载体的出口将排出气体抽出;以及在执行所述净化气体的供应和所述排出气体的抽出的同时,生成所述载体的健康指示器。
本发明的另一实施例提供了一种用于半导体制造的装置,包括:输入端口,所述输入端口接收载体,其中,所述载体包括载体主体、在所述载体主体上安装的外壳、以及在所述载体主体和所述外壳之间安装的过滤器;第一机械臂,所述第一机械臂将所述外壳从所述载体拆下以及将所述外壳安装在所述载体内;一个或多个第二机械臂,所述一个或多个第二机械臂将所述过滤器从所述载体移除以及将新的过滤器安装在所述载体内;以及输出端口,所述输出端口将所述载体释放至生产。
本发明的又一实施例提供了一种半导体制造系统,包括:多个半导体处理工具;载体净化站;载体修复站;以及高架传输(OHT)环路,所述高架传输环路用于将一个或多个衬底载体在所述多个半导体处理工具、所述载体净化站以及所述载体修复站之间传输,其中,所述载体净化站配置为从所述多个半导体处理工具中的一个接收所述衬底载体、使用惰性气体净化所述衬底载体以及确定所述衬底载体是否需要修复,其中,所述载体修复站配置为接收要修复的衬底载体以及置换所述衬底载体中的一个或多个部件。
附图说明
当阅读附图时,连同如下详细说明一起可最优理解本公开的各个方面。应当强调的是,根据行业中标准的做法,不同的部件并不按比例绘制。事实上,为了清晰讨论,不同部件的尺寸可随意增加或减少。
图1示出了根据本公开的不同方面的用于半导体制造的系统的一部分的示意图。
图2示出了根据本公开的不同方面的衬底载体净化站的示意图。
图3示出了根据本公开的不同方面的衬底载体修复站和其中的工作流程。
图4示出了根据一个实施例的衬底载体修复站的更详细的视图。
图5示出了根据本公开的不同方面的用于自动检测衬底载体中的空气过滤器劣化的方法的流程图。
图6示出了根据本公开的不同方面的用于自动更换衬底载体的方法的流程图。
图7示出了根据本公开的不同方面的用于自动更换衬底载体中的部件的方法的流程图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造