[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第一绝缘板及第二绝缘板，沿包含第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向的平面扩展，且在与所述平面交叉的第三方向相互相隔；

积层体，设置在所述第一绝缘板与所述第二绝缘板之间，多个绝缘层与多个配线层沿所述第一方向交替积层；

绝缘部件，设置在所述积层体内，且在所述第一方向贯通所述积层体；

半导体部件，设置在所述积层体内，且在所述第一方向延伸；及

电荷储存部件，设置在所述配线层与所述半导体部件之间；且

各所述配线层具有：

第一配线部，与所述第一绝缘板相接，且在所述第二方向延伸；

第二配线部，与所述第二绝缘板相接，且在所述第二方向延伸；

第三配线部，与所述第一配线部相接；

第四配线部，与所述第二配线部相接；

第五配线部，与所述第一绝缘板及所述第二绝缘板相隔，在所述第二方向延伸，经由所述第三配线部而与所述第一配线部连接，且通过所述绝缘部件与所述第二配线部绝缘；及

第六配线部，与所述第一绝缘板及所述第二绝缘板相隔，在所述第二方向延伸，经由所述第四配线部而与所述第二配线部连接，且通过所述绝缘部件与所述第一配线部绝缘；且

所述半导体部件配置在所述第五配线部与所述第六配线部之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一配线部及所述第二配线部包含金属，

所述第五配线部及所述第六配线部包含硅。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述第一配线部及所述第二配线部的电阻率，低于所述第五配线部及所述第六配线部的电阻率。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述各配线层具有多个所述第五配线部及多个所述第六配线部，且

所述多个第五配线部与所述多个第六配线部在所述第三方向交替排列。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中从所述第一方向观察，所述多个配线层的包含所述第一～第六配线部的配线图案相互重合。