[发明专利]一种去除电路板废水中铜离子的方法在审
| 申请号: | 201810075806.5 | 申请日: | 2018-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN108218036A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
| 发明(设计)人: | 罗新浩 | 申请(专利权)人: | 珠海盛博环保科技有限公司 |
| 主分类号: | C02F9/04 | 分类号: | C02F9/04;C02F101/20 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 谈杰 |
| 地址: | 519145 广东省珠海市斗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铜离子 电路板废水 出水 絮凝反应器 中和反应器 去除 废水处理效果 初级沉淀池 聚丙烯酰胺 聚合氯化铝 固液分离 间歇反应 酸碱中和 絮凝反应 澄清池 上清液 投入量 倒缸 排槽 拨动 废水 车间 达标 | ||
1.一种去除电路板废水中铜离子的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将待处理的废水连续进入中和反应器,在中和反应器中进行酸碱中和,调整PH值为7.0~7.5;
S2:将S1中的出水连续进入絮凝反应器,在絮凝反应器中加入聚合氯化铝和聚丙烯酰胺,进行絮凝反应;
S3:将S2中的出水连续进入初级沉淀池,进行固液分离;
S4:将S3中的上清液连续进入一体式间歇反应澄清池内部,其中一体式间歇反应澄清池的包括三个反应池,先将上清液进入第一反应池的内部,待达到一定的高度位置时将S3中的上清液连续进入第二反应池的内部,同时在第一反应池内加入药剂,进行反应沉淀待第二反应池内部的上清液达到一定的高度时将S3中的上清液进行连续进入第三反应池的内部,同时将第一反应池中的上清液混合加入到第二反应池的内部,并在第二反应池的内加入适量药剂进行反应沉淀,待第三反应池内部的上清液达到一定的高度时将S3中的上清液进行连续进入第一反应池的内部,同时检测第二反应池上清液中的铜离子含量以及药剂的含量,若达到排放的标准时则进行排放,将上清液排放至清水池,若未达标则将第二反应池中的上清液进入第三反应池中并加入药剂进行反应沉淀,循环处理以达到排放标准;
所述S4中加入药剂反应沉淀的步骤还包括在反应池中加入硫化钠和硫酸亚铁,控制废水PH值为9.5~10.0,再加入聚合氯化铝铁,控制PH值为7.5~8.0,再加入聚丙烯酰胺,静置沉淀1.0~2.0小时。
2.根据权利要求1所述的一种去除电路板废水中铜离子的方法,其特征在于,所述S4步骤中还包括对反应沉淀后的沉淀物进行排出。
3.根据权利要求1所述的一种去除电路板废水中铜离子的方法,其特征在于,还包括将S3和S4步骤中得到的沉淀物进行收集,并对其进行浓缩处理,并将得到的液体重新排入到絮凝反应池中进行深度处理。
4.根据权利要求1所述的一种去除电路板废水中铜离子的方法,其特征在于,所述硫化钠的用量为50kg/1000立方废水。
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