[发明专利]包括电阻器的半导体器件

说明书

提供了一种在半导体衬底上包括电阻器结构的半导体器件。所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体。焊盘部分均具有比电阻器主体的宽度大的宽度。焊盘部分均包括焊盘图案和覆盖焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案。所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸。所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。

相关申请的交叉引用

本申请基于35U.S.C.§119要求2017年3月3日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0027699的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思的实施例总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及包括电阻器的半导体器件。

背景技术

半导体器件通常包括晶体管、二极管、电容器、电阻器等。在包括电阻器的半导体器件中，电阻器通常由用于形成栅电极或互连线的低电阻率金属形成，因此需要增加电阻器的长度以满足电阻器的期望的电阻量值。电阻器的增加的长度导致在半导体器件中占据更大面积的更大的电阻器，随着半导体器件变得越来越小，这呈现了问题。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种在半导体衬底上包括半导体衬底和电阻器结构的半导体器件。所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体。焊盘部分均具有比电阻器主体的宽度大的宽度。焊盘部分均包括焊盘图案和覆盖焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案。所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸。所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。

本发明构思的另外的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底、半导体衬底上的第一电阻器结构以及半导体衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅电极结构和覆盖所述第一栅电极结构的侧壁和下表面的第一栅电介质层。所述第一栅电极结构包括第一栅电极图案和第二栅电极图案。所述第一栅电极图案覆盖所述第二栅电极图案的侧壁和下表面并且包括具有比所述第二栅电极图案高的电阻率的导电材料。第一电阻器结构包括第一焊盘部分和连接第一焊盘部分的第一电阻器主体。第一电阻器结构包括与第一栅电极图案相同的材料。

附图说明

图1是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的透视图。

图2A和图2B是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图3A和图3B是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图4是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图5是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的平面图。

图6至图9是分别示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图10是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的平面图。

图11是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图12是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的平面图。

图13A和图13B是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体的截面图。

图14是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的平面图。

图15是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图16是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的平面图。

图17是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图18是示出了根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的平面图。