[发明专利]包括电阻器的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；以及

电阻器结构，在所述半导体衬底上，

其中所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体；

其中每一个所述焊盘部分的宽度大于所述电阻器主体的宽度，

其中每一个所述焊盘部分包括焊盘图案和覆盖所述焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案；

其中所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸；以及

其中所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述电阻器结构的侧壁和下表面的电阻器电介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括在所述半导体衬底上的下部绝缘结构，所述下部绝缘结构包括开口，

其中所述电阻器结构和所述电阻器电介质层填充所述下部绝缘结构的开口。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电阻器电介质层具有比所述下部绝缘结构高的介电常数。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器主体包括电阻率比所述焊盘图案高的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述半导体衬底上的隔离区，所述隔离区限定有源区和保护环；以及

在所述半导体衬底上的晶体管，所述晶体管包括与所述有源区相交的栅极结构，

其中所述栅极结构包括栅电极结构和覆盖所述栅电极结构的侧壁和下表面的栅电介质结构；

其中所述栅电极结构包括第一栅电极图案和第二栅电极图案，

其中所述第二栅电极图案具有柱形状并且包括与所述焊盘图案相同的材料；以及

其中所述第一栅电极图案覆盖所述第二栅电极图案的侧壁和下表面，并且包括与所述衬里图案和所述电阻器主体相同的材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述电阻器结构设置在由所述保护环围绕的隔离区上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件：

其中所述衬里图案和所述电阻器主体均包括第一导电层和第二导电层；

其中所述焊盘图案具有柱形状；

其中所述衬里图案的所述第二导电层比所述衬里图案的所述第一导电层更接近所述焊盘图案，并且覆盖所述焊盘图案的所述侧壁和所述下表面；以及

其中所述电阻器主体的所述第二导电层从所述衬里图案的所述第二导电层横向地延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体器件：

其中所述焊盘图案包括第一焊盘层和第二焊盘层；

其中所述第二焊盘层具有柱形状；以及

其中所述第一焊盘层覆盖所述第二焊盘层的侧壁和下表面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件：

其中在所述电阻器结构中，所述焊盘部分包括端部焊盘部分和所述端部焊盘部分之间的中间焊盘部分；以及

其中所述电阻器主体连接在所述端部焊盘部分和所述中间焊盘部分之间。

11.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一电阻器结构，在所述半导体衬底上；以及

第一晶体管，在所述半导体衬底上，

其中所述第一晶体管包括第一栅极结构；

其中所述第一栅极结构包括第一栅电极结构和覆盖所述第一栅电极结构的侧壁和下表面的第一栅电介质层；

其中所述第一栅电极结构包括第一栅电极图案和第二栅电极图案；

其中所述第一栅电极图案覆盖所述第二栅电极图案的侧壁和下表面，并且包括电阻率比所述第二栅电极图案高的导电材料；以及

其中所述第一电阻器结构包括第一焊盘部分和连接所述第一焊盘部分并且包括与所述第一栅电极图案相同的材料的第一电阻器主体。