[发明专利]图像传感器及其制造方法

说明书

本公开涉及图像传感器及其制造方法。其中一个实施例提供了一种图像传感器，其包括：衬底，在所述衬底中形成有光电二极管，所述光电二极管由第一半导体材料构成；以及从所述衬底的一个主表面延伸到所述衬底中的深沟槽隔离部，所述深沟槽隔离部布置在所述光电二极管周围，且至少包括绝缘材料和第二半导体材料，其中所述绝缘材料隔离各光电二极管，所述第二半导体材料的带隙不同于所述第一半导体材料的带隙。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及图像传感器及其制造方法。

背景技术

在现有的图像传感器中，存在着暗电流问题，会影响图像传感器的性能。

因此存在降低暗电流的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新型的图像传感器及其制造方法。特别地，本公开的一个目的涉及降低图像传感器的暗电流。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，其包括：衬底，在所述衬底中形成有光电二极管，所述光电二极管由第一半导体材料构成；以及从所述衬底的一个主表面延伸到所述衬底中的深沟槽隔离部，所述深沟槽隔离部布置在所述光电二极管周围，且至少包括绝缘材料和第二半导体材料，其中所述绝缘材料隔离各光电二极管，所述第二半导体材料的带隙不同于所述第一半导体材料的带隙。

根据本公开的第二方面，提供了一种用于制造图像传感器的方法，其包括：通过从衬底的一个主表面对所述衬底进行刻蚀来形成深沟槽，其中所述衬底中已形成有光电二极管，所述光电二极管由第一半导体材料构成，所述深沟槽位于所述光电二极管周围；填充所述深沟槽以形成深沟槽隔离部，所述深沟槽隔离部至少包括绝缘材料和第二半导体材料，其中所述绝缘材料隔离各光电二极管，所述第二半导体材料的带隙不同于所述第一半导体材料的带隙。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示出了根据本公开一个示例性实施例的图像传感器的截面图。

图2示出了根据本公开一个示例性实施例的图像传感器的制造方法的流程图。

图3A-3G分别示出了在根据本公开一个示例性实施例来制造图像传感器的一个方法示例的各个步骤处的装置截面示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本文中的图像传感器及其制造方法是以示例性的方式示出，来说明本公开中的结构和方法的不同实施例。然而，本领域技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施的本发明的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，附图不必按比例绘制，一些特征可能被放大以示出具体组件的细节。