[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810075133.3 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108258001A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王连红;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 光电二极管 衬底 图像传感器 深沟槽隔离 绝缘材料 带隙 主表面延伸 制造 隔离 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
衬底，在所述衬底中形成有光电二极管，所述光电二极管由第一半导体材料构成；以及
从所述衬底的一个主表面延伸到所述衬底中的深沟槽隔离部，所述深沟槽隔离部布置在所述光电二极管周围，且至少包括绝缘材料和第二半导体材料，其中所述绝缘材料隔离各光电二极管，所述第二半导体材料的带隙不同于所述第一半导体材料的带隙。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二半导体材料的带隙小于所述第一半导体材料的带隙，以使得所述第二半导体材料能吸收红外光。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二半导体材料的带隙大于所述第一半导体材料的带隙，以使得所述第二半导体材料能吸收紫外光。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述深沟槽隔离部还包括第三半导体材料，其中所述第二半导体材料和所述第三半导体材料中一者的带隙大于所述第一半导体材料的带隙以致能吸收紫外光，而另一者的带隙小于所述第一半导体材料的带隙以致能吸收红外光。
5.根据权利要求2或4所述的图像传感器，其特征在于，所述第二半导体材料包括SiGe或者TiO2。
6.根据权利要求3或4所述的图像传感器，其特征在于，所述第二半导体材料包括III-V族化合物半导体。
7.根据权利要求3或4所述的图像传感器，其特征在于，所述第二半导体材料包括GaN或GaAs。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括位于所述衬底的所述主表面上的第二半导体材料或第三半导体材料，其中所述第二半导体材料和所述第三半导体材料的带隙都大于所述第一半导体材料的带隙。
9.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述深沟槽隔离部还包括衬垫层和高介电常数材料层，其中所述衬垫层、所述高介电常数材料层、所述第二半导体材料、所述第三半导体材料和所述绝缘材料依次层叠。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底的所述主表面为所述衬底的背面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
